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分享一个使用杂化泛函计算稀磁半导体的ppt已有25人参与
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Hybrid functionals: Dilute Magnetic semiconductors Georg KresseJ. Paier, K. Hummer, M. Marsman, A. Stroppa Faculty of Physics, University of Viennaand Center for Computational Materials Science Funded by the Austrian FWF 2012-4-23 另外:希望使用过HSE泛函的童鞋们来分享一下经验 另外问两个问题 ![]() 问题:1)单纯用HSE做静态计算(不做能带计算)应该是什么流程?(我用HSE算一个六角晶系的原包出错了 )2)静态计算NBANDS取多少合适?(半导体或绝缘体) 3)计算DOS及PDOS应注意什么?[ Last edited by huangll99 on 2012-4-23 at 12:26 ] |
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本内容由用户自主发布,如果其内容涉及到知识产权问题,其责任在于用户本人,如对版权有异议,请联系邮箱:xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Kresse.ppt
2012-04-23 11:06:10, 5.14 M
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4楼2012-04-23 16:35:53
10楼2012-04-24 08:48:52
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15楼2012-04-24 10:17:58
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谢谢您的回帖,我看了那两个帖子,我认为您说的计算DOS的方法是有道理的,我会尝试。 其实我提第一个关于静态计算的问题,主要是想用HSE来计算体系的能量。 我的具体的计算内容是计算缺陷晶体的优化,然后做自洽计算(使用的GGA) 现在我的思路是:首先用GGA做结构优化,其次用GGA作自洽计算,最后用HSE作静态计算(这一步使用上一步由GGA计算得到的WAVECAR) 我已经使用了上面这个思路计算了一个小的体系,并用公式:能隙Egap=E(N+1)+E(N-1)-2E(N) 来计算了能隙,结果是比实验值大3%左右,我想是因为默认HF的成分太多的原因 麻烦您帮忙鉴定一下我的思路是否有问题 [ Last edited by huangll99 on 2012-4-26 at 16:48 ] |
19楼2012-04-26 16:38:02
21楼2012-04-26 17:16:43
23楼2012-04-27 08:44:30














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