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minmin_0082003

金虫 (正式写手)

莫愁莫愁

[求助] 简单的问题,看看偶的设置是否正确

做表面的vc-relax 优化,主要是想问优化后的cell parameter 怎么设置
优化后得到
CELL_PARAMETERS (alat= 16.64000000)
   0.973873316  -0.000010136   0.000141117
  -0.486945436   0.843414236   0.000000000
   0.000430174   0.000248361   3.152371191
就把这个直接放到下面的输入文件中就行了吧,如果再吸附分子的话,这个cell 可以fix的吧,不需要再优化晶胞了吧
&CONTROL
  calculation    = "vc-relax",
  nstep          = 500,
  prefix       = "Au33-4"
/
&SYSTEM
  ibrav                  = 4,
  celldm(1)              = 16.64,
  celldm(3)              = 3.0 ,
  nat                    = 36,
  ntyp                   = 1,
  ecutwfc                = 35.0D0,
  ecutrho                = 350.0D0,
  nspin                  = 2,
  starting_magnetization(1) = 0.5,
  occupations              = "smearing"
  degauss                  = 0.05,
!  nbnd                     = 24,
/
&ELECTRONS
  Conv_thr    = 1.0D-6,
  mixing_beta = 0.3D0,
  electron_maxstep = 400,
/
&IONS
/
&CELL
/
ATOMIC_SPECIES
Au  196.96655  Au.pbe.UPF
ATOMIC_POSITIONS { angstrom }
coordinate
K_POINTS automatic
3 3 1 1 1 1
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ridge8888

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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感谢参与,应助指数 +1
minmin_0082003: 金币+20, ★★★★★最佳答案, 谢谢 2012-04-13 16:48:10
ibrav=4,应该是Hexagonal and Trigonal P 结构。
则:celldm(1)=16.64*0.973873316
celldm(3)=3.152371191/0.973873316。
2楼2012-04-13 15:30:14
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