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[交流]
Ge/ SiO2 薄膜退火处理
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Ge/ SiO2 薄膜采用管式炉退火处理后，薄膜消失，不知道是什么原因呢？ 在Ar气的保护下退火，退火温度600~1000. 不知道是管式炉真空度不够还是别的什么原因呢？ 各位大侠帮帮忙分析下吧，急死了。（磁控溅射制备的薄膜，玻璃基片） |
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2楼2012-05-14 10:43:03
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices were formed by a radio-frequency magnetron cosputtering technique and then annealed at 800 “C for 30 min. The average radius of the Ge microcrystals in SiO2 was determined to be about 3 nm by means of Raman spectroscopy and high resolution electron microscope. The annealed sample showed a strong room temperature luminescence with a peak at 2.18 eV. [ Last edited by seaxiaomuch on 2012-5-14 at 11:51 ] |
3楼2012-05-14 10:46:47
4楼2014-12-29 17:23:04
