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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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jiejie1810

新虫 (初入文坛)


[交流] Ge/ SiO2 薄膜退火处理

Ge/ SiO2 薄膜采用管式炉退火处理后,薄膜消失,不知道是什么原因呢?
在Ar气的保护下退火,退火温度600~1000.
不知道是管式炉真空度不够还是别的什么原因呢?
各位大侠帮帮忙分析下吧,急死了。(磁控溅射制备的薄膜,玻璃基片)
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seaxiaomuch

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建议楼主重做一下试验,我做过类似的试验 没出现这样的情况,
2楼2012-05-14 10:43:03
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seaxiaomuch

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Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices were formed by a radio-frequency magnetron cosputtering technique and then annealed at 800 “C for 30 min. The average radius of the Ge microcrystals in SiO2 was determined to be about 3 nm by means of Raman spectroscopy and high resolution electron microscope. The annealed sample showed a strong room temperature luminescence with a peak at 2.18 eV.




[ Last edited by seaxiaomuch on 2012-5-14 at 11:51 ]
3楼2012-05-14 10:46:47
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yiyang_hehe

新虫 (初入文坛)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
lz 我也在做类似的实验!想交流一下!
4楼2014-12-29 17:23:04
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