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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » Ge/ SiO2 薄膜退火处理
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jiejie1810

新虫 (初入文坛)

[交流] Ge/ SiO2 薄膜退火处理

Ge/ SiO2 薄膜采用管式炉退火处理后，薄膜消失，不知道是什么原因呢？
在Ar气的保护下退火，退火温度600~1000.
不知道是管式炉真空度不够还是别的什么原因呢？
各位大侠帮帮忙分析下吧，急死了。（磁控溅射制备的薄膜，玻璃基片）
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1楼 2012-04-12 14:06:40
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seaxiaomuch

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建议楼主重做一下试验，我做过类似的试验 没出现这样的情况，
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2楼2012-05-14 10:43:03
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seaxiaomuch

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Ge microcrystals embedded in SiO2 glassy matrices were formed by a radio-frequency magnetron cosputtering technique and then annealed at 800 “C for 30 min. The average radius of the Ge microcrystals in SiO2 was determined to be about 3 nm by means of Raman spectroscopy and high resolution electron microscope. The annealed sample showed a strong room temperature luminescence with a peak at 2.18 eV.




[ Last edited by seaxiaomuch on 2012-5-14 at 11:51 ]
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3楼2012-05-14 10:46:47
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yiyang_hehe

新虫 (初入文坛)
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lz 我也在做类似的实验！想交流一下！
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4楼2014-12-29 17:23:04
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