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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 求助ALD生长HfO2出现的问题
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匿名

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1楼 2012-04-11 18:02:27
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super_zu

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
10楼: Originally posted by super_zu at 2012-05-02 01:33:57:
你可以这样解决，断开源与系统，precursor pulse 设为0s，高温bake chamber，加热precursor delivery line，做500cycles。这样应该可以解决了。

你这种情况是使用不当造成的。
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11楼2012-05-02 01:49:15
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ensureald

铁虫 (初入文坛)
白色粉末的出现，说明你的试验没有实现ALD生长
一种原因是发生了CVD效应，也有可能是你的沉积温度过高，前趋体分解了吧！不清楚你用的是哪家的设备，有些设备沉积也略有区别，我们完全可以实现HfO2的沉积，有问题可以多交流！
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yzdelei
2楼2012-04-26 09:42:40
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super_zu

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
yzdelei: 金币+15, ★★★很有帮助, 非常感谢，有点疑惑就是，压力高应该更容易purge吧 2012-04-30 06:49:24
1.purecursor pulse 时间过长，且purge时间不足，不是inert gas用光了吧
2.precursor 温度过高，precursor大量物理吸附，这样inert没法purge的
3.使用不善，造成管路里面残留大量precursor
4.系统压力过高
还有TDEAH用moisture就能反应，问什么用h2o2呢？
这个precursor， 200度1.2的growthrate非常经典，应该不难实现
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3楼2012-04-29 13:54:35
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匿名

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4楼2012-04-30 06:50:16
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