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silikiwi

金虫 (小有名气)

[求助] 再次求问,差分电荷密度图的定性分析

已经通过能量得出了结构稳定性的判断,想通过差分电荷密度图定性分析下不同结构稳定性差距的物理机制。如图。我知道可以从电负性的角度去解释,即两个电负性较大的原子在一起会有较大的库伦排斥力,而它们中间有一个电负性较弱的引入后会减弱这种库伦排斥力。我想知道的是能否从差分电荷密度图上,从电子转移上来定性的分析下原子间的相互作用。求帮助。



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silikiwi

金虫 (小有名气)

★ ★
fzx2008: 金币+2, 鼓励交流 2012-05-08 12:17:28
引用回帖:
2楼: Originally posted by uuv2010 at 2012-04-07 18:40:26:
可以按照您的理解进行分析啊,通过得失电子来研究相关变化,分析相关机理是很好的方法
能不能详细介绍一下这几幅图的含义?

是在晶硅中掺杂替代位的P原子,通过能量比较来判断P与间隙位的氧原子的相互作用及其相互作用对体系能量的影响。
最下边两幅图是P和O分别在第一和第二近邻位时的差分电荷密度。P-O直接键合时体系是不稳定的;而在第二近邻位键合时体系稳定。
P-O的相互作用导致体系能量变化及稳定性的差异肯定是与P,Si,O原子相互作用时的电荷相互作用相关的。问题是如何把图中电荷转移与体系稳定性联系起来。
我是初次做这种图,物理基础也比较薄弱,所以分析起来比较困难。
3楼2012-04-07 22:24:01
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查看全部 18 个回答

uuv2010

荣誉版主 (职业作家)

优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+1, 谢谢回帖交流! 2012-04-07 19:01:17
silikiwi: 金币+5, 有帮助, 谢谢 2012-04-07 22:19:43
可以按照您的理解进行分析啊,通过得失电子来研究相关变化,分析相关机理是很好的方法
能不能详细介绍一下这几幅图的含义?

[ Last edited by uuv2010 on 2012-4-7 at 19:10 ]
2楼2012-04-07 18:40:26
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s20080718

金虫 (著名写手)

发现问题、分析问题、解决问题

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+1, 鼓励交流 2012-05-08 12:17:19
图做的很好很清晰,我是看文献就看不懂,希望高人闲暇时来解释,相互学习,帮楼主顶一个!
解决问题的关键在于大家一起用心交流!
4楼2012-04-09 10:51:18
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silikiwi

金虫 (小有名气)

★ ★
fzx2008: 金币+2, 谢谢交流! 2012-05-08 12:17:48
还是来做个了结吧。差分电荷密度图确实能比较清楚的看出电子得失的情况,但仍只是一种定性的判定化学键的方法。至于我求问的其和体系能量的关系,这种图所能提供的信息更是有限。定量的办法是用VASP把Kohn-Sham总能中的经典Coulomb排斥能拆解出来进行对比。还有一种比较直观的判断成键作用的方法就是做Mulliken population analysis,直接看键布局数或原子布局数,但据说这种方法已经有些过时了。
5楼2012-04-20 23:07:48
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