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刘恩科半导体物理的几点疑问（简并半导体的载流子浓度） 已有4人参与
刘恩科半导体物理的几点疑问：
1.简并半导体的多数载流子浓度
按电中性条件n0=Nd+，可以计算得n0=8.4%Nd
但是下面低温载流子冻析效应中，又讲，当温度高于100k时，si中施主杂质全部电离。
到底哪个是正确的啊？
2. 简并半导体的少数载流子浓度怎么计算啊？
不能用非简并半导体的n0*P0=ni^2
请各位不吝赐教！！！ |
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