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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 刘恩科半导体物理的几点疑问（简并半导体的载流子浓度）
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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pinbowlf

银虫 (小有名气)

[交流] 刘恩科半导体物理的几点疑问（简并半导体的载流子浓度） 已有4人参与

刘恩科半导体物理的几点疑问：
1.简并半导体的多数载流子浓度
按电中性条件n0=Nd+，可以计算得n0=8.4%Nd
但是下面低温载流子冻析效应中，又讲，当温度高于100k时，si中施主杂质全部电离。
到底哪个是正确的啊？
2. 简并半导体的少数载流子浓度怎么计算啊？
不能用非简并半导体的n0*P0=ni^2
请各位不吝赐教！！！
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1楼 2012-04-03 19:25:24
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Jeveels
2楼2012-04-03 20:10:00
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wh1125

木虫 (正式写手)
居然不给金币
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3楼2012-04-03 21:09:17
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pinbowlf

银虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by wh1125 at 2012-04-03 21:09:17:
居然不给金币

给点建议啊！
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4楼2012-04-04 15:47:24
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pinbowlf

银虫 (小有名气)
高手给点指导啊！！！
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5楼2012-04-04 15:48:47
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semizx

银虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
好问题  求高手给指点啊
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不后悔不抛弃不放弃蛋定冷静心静
6楼2012-09-23 21:12:03
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gudanDR

金虫 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
chemlh: 金币+1, 欢迎积极讨论 2012-10-05 18:03:20
不知道楼主得到答案没有，
1. 重掺杂（简并半导体）情况下，杂质的电离是不完全的，而你所说的“当温度高于100k时，si中施主杂质全部电离。”应该是针对非简并的情况，可参考图3－11，在100k 以上，n-Si是饱和电离的，两者针对情况不一样，不矛盾
2. n0*P0=ni^2应该也能用在平衡态简并半导体，只是不能用在非平衡态半导体。
赞一下 回复此楼
7楼2012-10-05 17:19:06
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