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刘恩科半导体物理的几点疑问（简并半导体的载流子浓度） 已有4人参与
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刘恩科半导体物理的几点疑问： 1.简并半导体的多数载流子浓度 按电中性条件n0=Nd+，可以计算得n0=8.4%Nd 但是下面低温载流子冻析效应中，又讲，当温度高于100k时，si中施主杂质全部电离。 到底哪个是正确的啊？ 2. 简并半导体的少数载流子浓度怎么计算啊？ 不能用非简并半导体的n0*P0=ni^2 请各位不吝赐教！！！ |
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wh1125
木虫 (正式写手)
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semizx
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