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zhylimin1979

铜虫 (初入文坛)

[资源] 获取空位DOS的方法

以GaN或Ga空位(V_Ga)为例：
1、建立GaN超胞文件：GaN.struct；
2、修改GaN.struct:以H取代其中一个Ga，并保存；
3、初始化计算(init_lapw)；
4、手动修改以下两个文件：(1)将GaN.struct中H的原子序数由“1”改成“0”；(2)将GaN.in2中电子数减1；
5、进行正常的SCF运算和DOS计算；
6、H的DOS即为空位的DOS。
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1楼2012-03-29 10:37:29
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xiaoyukaka

木虫 (正式写手)

★★★★★ 五星级,优秀推荐

很有新意的想法呀~ 不过我还是有些疑惑，望与楼主探讨：对于真实原子在初始化是会选定RMT，这里初始用H代替空位，初始化给定的必然是H的RMT以及H的电荷初始密度，虽然计算时已经人为去掉了原子核与电子，但Rmt依然存在，进一步说自洽时RMT内部用球形函数，外部用平面波，能否与物理对应起来，从计算的角度上看，在空位处是否应该用平面波来处理呢？
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5楼2013-01-25 20:27:23
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huangll99

木虫 (职业作家)
怀疑其正确性
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2楼2012-03-29 12:33:33
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wydzyx2003

金虫 (正式写手)

★★★ 三星级,支持鼓励

对么？楼主有什么根据么？
不是兄弟们怀疑你，学术还是要问个为什么，兄弟别介意。帖子还是很有价值的。
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3楼2012-03-29 14:54:57
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zhylimin1979

铜虫 (初入文坛)
此方法利用H原子实现占位的目的，实际上H的核及电子已经被去除(如用xCrysden查看结构，则空位处会出现一个名为"X"的元素，而非“H”元素)。我已对部分半导体掺杂的空位进行了测试，测试结果是：用此方法得到的结果(总能量、磁矩、DOS)与直接用空位得到的结果很接近。这里只是提出一种可能的思路，至于其是否具有普遍正确性，还请虫子们多加验证。期待大家能把发现的问题发上来讨论。
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4楼2012-03-30 10:21:46
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