| 查看: 1155 | 回复: 4 | |||||
| 【奖励】 本帖被评价2次，作者zhylimin1979增加金币 1.4 个 | |||||
[资源]
获取空位DOS的方法
|
|||||
|
以GaN或Ga空位(V_Ga)为例： 1、建立GaN超胞文件：GaN.struct； 2、修改GaN.struct:以H取代其中一个Ga，并保存； 3、初始化计算(init_lapw)； 4、手动修改以下两个文件：(1)将GaN.struct中H的原子序数由“1”改成“0”；(2)将GaN.in2中电子数减1； 5、进行正常的SCF运算和DOS计算； 6、H的DOS即为空位的DOS。 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 first principle | 其他 | VASP资料 |
» 猜你喜欢
情人节自我反思：在爱情中有过遗憾吗？
已经有11人回复
-
体制内长辈说体制内绝大部分一辈子在底层，如同你们一样大部分普通教师忙且收入低
已经有12人回复
-
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有9人回复
-
今年春晚有几个节目很不错，点赞！
已经有10人回复
-
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有5人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- DOS图中怎么判断非金属性，半金属性，金属性
已经有7人回复
- vasp计算的半导体结构，bands带隙比dos里面的大，何故？
已经有33人回复
- DOSCAR中的integrated DOS是怎么算的？
已经有9人回复
- vasp 计算表面DOS与文献对应不上 请求大家帮助.......
已经有20人回复
- 【求助】理论计算新手，求帮忙解决带隙及DOS的问题
已经有21人回复
- 【求助成功】supercell中DOS计算如何得到合理的电荷密度和波函数？
已经有3人回复
- 【求助】DOS怎么积分得到电子数
已经有16人回复
3楼2012-03-29 14:54:57
4楼2012-03-30 10:21:46
2楼2012-03-29 12:33:33
5楼2013-01-25 20:27:23