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南方科技大学公共卫生及应急管理学院2025级博士研究生招生报考通知
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zhylimin1979

铜虫 (初入文坛)


[资源] 获取空位DOS的方法

以GaN或Ga空位(V_Ga)为例:
1、建立GaN超胞文件:GaN.struct;
2、修改GaN.struct:以H取代其中一个Ga,并保存;
3、初始化计算(init_lapw);
4、手动修改以下两个文件:(1)将GaN.struct中H的原子序数由“1”改成“0”;(2)将GaN.in2中电子数减1;
5、进行正常的SCF运算和DOS计算;
6、H的DOS即为空位的DOS。
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zhylimin1979

铜虫 (初入文坛)


此方法利用H原子实现占位的目的,实际上H的核及电子已经被去除(如用xCrysden查看结构,则空位处会出现一个名为"X"的元素,而非“H”元素)。我已对部分半导体掺杂的空位进行了测试,测试结果是:用此方法得到的结果(总能量、磁矩、DOS)与直接用空位得到的结果很接近。这里只是提出一种可能的思路,至于其是否具有普遍正确性,还请虫子们多加验证。期待大家能把发现的问题发上来讨论。
4楼2012-03-30 10:21:46
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