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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 谁能解释下荧光图谱中的带边发射和近带边发射的区别呀！！
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zhaizhai

金虫 (小有名气)

[求助] 谁能解释下荧光图谱中的带边发射和近带边发射的区别呀！！

我做的CdS，做时间实验的PL图发现，反应最开始在488出现峰，然后就消失了，会在531nm出现峰，并随着时间强度变小。我查文献说，这分别是带编发射band-edge emission 和近带边发射 near band edge emission, 请问这两个有什么区别，都代表着什么呢！
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1楼 2012-03-12 10:48:03
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zhaizhai

金虫 (小有名气)
自己顶啊顶啊
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2楼2012-03-12 10:50:31
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雪松ssff

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
zhaizhai(金币+3): ★★★很有帮助, 谢谢！本征发光是不是一般比较敏感，所以随着反应时间的进行，它就消失了？ 2012-03-12 22:13:37
简单说，带边发射来自激子的复合，属于本征发光，近带边发射与缺陷能级与表面状态有关
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3楼2012-03-12 19:19:36
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-03-12 19:19:36
简单说，带边发射来自激子的复合，属于本征发光，近带边发射与缺陷能级与表面状态有关

那么请问，近带边发射是什么呢？谢谢

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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做好自己
4楼2015-01-09 13:29:19
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-03-12 19:19:36
简单说，带边发射来自激子的复合，属于本征发光，近带边发射与缺陷能级与表面状态有关

那么请问，紫外近带边发射是什么呢？谢谢

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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做好自己
5楼2015-01-09 13:32:11
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