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zhaizhai

金虫 (小有名气)

[求助] 谁能解释下荧光图谱中的带边发射和近带边发射的区别呀!!

我做的CdS,做时间实验的PL图发现,反应最开始在488出现峰,然后就消失了,会在531nm出现峰,并随着时间强度变小。我查文献说,这分别是带编发射band-edge emission 和近带边发射 near band edge emission, 请问这两个有什么区别,都代表着什么呢!
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雪松ssff

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
zhaizhai(金币+3): ★★★很有帮助, 谢谢!本征发光是不是一般比较敏感,所以随着反应时间的进行,它就消失了? 2012-03-12 22:13:37
简单说,带边发射来自激子的复合,属于本征发光,近带边发射与缺陷能级与表面状态有关
3楼2012-03-12 19:19:36
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-03-12 19:19:36
简单说,带边发射来自激子的复合,属于本征发光,近带边发射与缺陷能级与表面状态有关

那么请问,近带边发射是什么呢?谢谢

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
做好自己
4楼2015-01-09 13:29:19
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 雪松ssff at 2012-03-12 19:19:36
简单说,带边发射来自激子的复合,属于本征发光,近带边发射与缺陷能级与表面状态有关

那么请问,紫外近带边发射是什么呢?谢谢

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
做好自己
5楼2015-01-09 13:32:11
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