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陷阱能级形成的微观机理
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小弟做存储器的需要一些陷阱的知识，一直对陷阱比较困惑，我的理解是完美的结构是不会存在陷阱能级的，只有当结构的周期性发生改变时，如缺陷，掺杂等，才会引入陷阱能级，不知道这样的理解对不对？ 如果我的理解是正确的，那为什么周期性被破坏后就会引入陷阱能级，陷阱能级形成的微观机制是什么？ 还有我看一些资料引入的陷阱能级就在价带与导带之间，为什么陷阱能级（或陷阱能带）一定出现在原来的最外层，次外层之间 望高手不吝赐教，不胜感激  |
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 缺陷稳定性分析 |
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