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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 陷阱能级形成的微观机理
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)

[求助] 陷阱能级形成的微观机理

小弟做存储器的需要一些陷阱的知识，一直对陷阱比较困惑，我的理解是完美的结构是不会存在陷阱能级的，只有当结构的周期性发生改变时，如缺陷，掺杂等，才会引入陷阱能级，不知道这样的理解对不对？
   如果我的理解是正确的，那为什么周期性被破坏后就会引入陷阱能级，陷阱能级形成的微观机制是什么？
   还有我看一些资料引入的陷阱能级就在价带与导带之间，为什么陷阱能级（或陷阱能带）一定出现在原来的最外层，次外层之间
  望高手不吝赐教，不胜感激
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1楼 2012-03-11 18:55:45
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huangll99

木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008(金币+1): 谢谢回帖交流！ 2012-03-11 22:45:01
xiaoluoj(金币+1): ★有帮助 2012-03-14 19:33:21
缺陷能级不一定在能隙里，只是能隙里的能级会对材料的电子性质有大的影响
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2楼2012-03-11 19:54:34
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xiaoluoj

金虫 (正式写手)
引用回帖:
楼: Originally posted by huangll99 at 2012-03-11 19:54:34:
缺陷能级不一定在能隙里，只是能隙里的能级会对材料的电子性质有大的影响

为什么只是能隙里的能级会对材料的电子性质有大的影响呢？
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3楼2012-03-14 19:34:35
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