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lichun1210木虫 (职业作家)
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[求助]
需求水平区熔炉相关的事宜
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根据实验室计划，最近下达任务，让我开展砷化镓晶体生长方面的任务。 但是由于我在这方面的知识及设备方面处于空白，我在查阅文献过程中，采用水平区熔法生长砷化镓晶体较好，想咨询一下各位，有熟悉水平区熔炉的吗？希望大家给予帮助~ [ 来自科研家族 晶体材料家族 ] |
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2楼2012-03-08 15:30:17
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3楼2012-03-08 15:58:19
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5楼2012-03-09 08:26:30
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7楼2012-03-09 09:34:05
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【答案】应助回帖
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lichun1210(金币+20): ★★★很有帮助 十分感谢~ 2012-03-09 12:11:45
huangjr(金币+1): 2012-03-09 13:11:41
lichun1210(金币+20): ★★★很有帮助 十分感谢~ 2012-03-09 12:11:45
huangjr(金币+1): 2012-03-09 13:11:41
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1960年里查兹(Richards)为适应具有挥发性组分 的GaAs晶体的特点，采用水平两温区区熔法生长 GaAs单晶。由电阻加热，保温炉形成熔区，低温端是 控制砷压的温区;Ga和As熔封在反应管内，当达到 反应温度时，As挥发到Ga端化合，再以较快速度移 动熔区一次，使化合更充分;然后用缓慢的速度(10 mm/h)从籽晶端向前移动熔区以生长单晶。 您可以去看看文献！ Gasb单晶的生长 吴光恒; 黄锡珉; 富淑清; 林革; 宣丽; 景玉梅; 张传萍; 温庆祥; 人工晶体 , Journal of Synthetic Crystals, 编辑部邮箱 1988年 Z1期 还有其他文献的，您去知网上搜搜。 |
8楼2012-03-09 10:15:49
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