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lichun1210

木虫 (职业作家)

[求助] 需求水平区熔炉相关的事宜

根据实验室计划,最近下达任务,让我开展砷化镓晶体生长方面的任务。
但是由于我在这方面的知识及设备方面处于空白,我在查阅文献过程中,采用水平区熔法生长砷化镓晶体较好,想咨询一下各位,有熟悉水平区熔炉的吗?希望大家给予帮助~

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kolkata

金虫 (著名写手)

小木虫工会主席

没啥大不了
2楼2012-03-08 15:30:17
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lijunjie84

版主 (职业作家)

隐者

优秀版主

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lichun1210(金币+2): 斑斑,知道这个东东的情况吗? 2012-03-08 17:57:02
莫非说就是传说中的区域熔炼!!!
3楼2012-03-08 15:58:19
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liushanhu

铁杆木虫 (著名写手)


不懂,友情顶贴
4楼2012-03-09 08:12:54
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5楼2012-03-09 08:26:30
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panjinping

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lichun1210(金币+10): 有帮助 2012-03-09 09:34:24
huangjr(金币+1): 感谢热心帮助~ 2012-03-09 13:11:23
该法与坩埚移动法大体相似,但水平区熔法的熔区被限制在一个狭小的范围内。水平区熔法常用高频线圈加热,需要有惰性气氛来进行保护。
为什么?
6楼2012-03-09 08:30:35
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lichun1210

木虫 (职业作家)

内容已删除
让世界关注中国晶体,让中国晶体走向世界
7楼2012-03-09 09:34:05
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panjinping

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
lichun1210(金币+20): ★★★很有帮助 十分感谢~ 2012-03-09 12:11:45
huangjr(金币+1): 2012-03-09 13:11:41
1960年里查兹(Richards)为适应具有挥发性组分 的GaAs晶体的特点,采用水平两温区区熔法生长 GaAs单晶。由电阻加热,保温炉形成熔区,低温端是 控制砷压的温区;Ga和As熔封在反应管内,当达到 反应温度时,As挥发到Ga端化合,再以较快速度移 动熔区一次,使化合更充分;然后用缓慢的速度(10 mm/h)从籽晶端向前移动熔区以生长单晶。

您可以去看看文献!
Gasb单晶的生长
吴光恒; 黄锡珉; 富淑清; 林革; 宣丽; 景玉梅; 张传萍; 温庆祥;
人工晶体 , Journal of Synthetic Crystals, 编辑部邮箱 1988年 Z1期

还有其他文献的,您去知网上搜搜。
为什么?
8楼2012-03-09 10:15:49
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般木

铁杆木虫 (著名写手)

我是傻子

lz为何不用LEC或者VGF法生长砷化镓?
天若有情天亦老,人间正道是沧桑。
9楼2012-03-10 21:57:46
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lichun1210

木虫 (职业作家)

引用回帖:
9楼: Originally posted by 般木 at 2012-03-10 21:57:46:
lz为何不用LEC或者VGF法生长砷化镓?

由于经费有限,我感觉水平法的设备还便宜点
所以......
让世界关注中国晶体,让中国晶体走向世界
10楼2012-03-10 22:04:47
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