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用vasp计算纯石墨烯的能带时，dirac点是打开的，带隙不为零
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 vasp计算SiC外延生长的单层石墨烯（32个C原子）的能带时，能带图中的dirac点是打开的，带隙不为零，与理论上严重不符。但是与静态的DOSCAR也对不上，然而之前的静态计算好像没有什么问题。不知是怎么回事，请高手解答。 用于能带计算的Kpoint文件： k-points along high symmetry lines 10 Line-mode rec 0.5 0.0 0.0 !M 0 0 0 !gamma 0 0 0 !gamma 0.666666667 0.33333333 0.0 !K 0.666666667 0.33333333 0.0 !K 0.5 0.0 0 !M 能带计算的INCAR： general: System =pb(111) ISTART = 0 PREC =Accurate ENCUT =400 # GGA = 91 # NPAR = 4 NSW= 0 # NBLOCK = 1; KBLOCK = 40 NELM=100 # EDIFF = 1E-04 # EDIFFG = -0.01 IBRION =-1 # IBRION = 2 # ISMEAR = 1 ICHARG = 11 # EMIN = -3.5863 # EMAX = 2.4137 # RWIGS = 10.6574 1.661307 # LORBIT = 10 # ADDGRID = T LWAVE = F # Electronic Relaxation 2 # IALGO = 48 algorithm # LDIAG = T sub-space diagonalisation LREAL = .FALSE.  [ Last edited by tianman on 2012-3-7 at 21:04 ] |
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 VASP and MS | 石墨烯模拟计算 | 科研 |
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uuv2010
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