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ap-liu

银虫 (小有名气)

[求助] 锂电池 循环伏安测试

循环伏安测试时,扫描速率一般都是0.1mV/s, 请高人指点一下扫描速率的快慢对CV曲线中的氧化还原峰的峰高和峰宽有什么影响?
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wangjine

至尊木虫 (职业作家)

扫描太快,峰不明显,甚至可能出不来
7楼2012-03-05 17:21:17
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坏男孩№亮

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
ap-liu(金币+1): 2012-03-04 11:40:17
对峰宽理论上没有影响,但实际上我感觉有点影响的,扫描损率小了 氧化还原电流小
2楼2012-03-03 21:09:23
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12490441

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ap-liu(金币+2): 2012-03-04 11:40:35
对于一般的材料来说,扫描速度越快,材料的极化越严重,氧化还原峰之间的电压差就越大,峰值电流也会越高
3楼2012-03-04 08:56:25
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shushine

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ap-liu(金币+2): 2012-03-04 11:42:58
seagrove(金币+2): 应助积极! 2012-03-05 17:23:29
对于不同的体系,扫描速率对峰宽和峰电流大小的影响是不一样的。对于表面控制过程,随扫描速率的增大,峰电流理论上为线性增加,峰宽不变;但实际上都是准可逆或不可逆的体系,随扫速增大,峰宽会增大,高扫速下峰电流逐渐偏离线性。对于扩散控制过程,可逆体系的电流与扫速的二分之一次方成正比,峰宽理论上也不随扫速变化而变化,但实际上总有未补偿的参比电极与工作电极间的溶液电阻,随扫速的增加,峰电流增加,这段电阻引起的电压降也增加,所以随扫速的增加,可逆的体系也会出现峰宽增加的现象;至于准可逆的体系,电流和峰宽的变化和表面控制过程的变化相似;不可逆的体系,峰电流依然与扫速的二分之一次方成正比。
4楼2012-03-04 10:54:29
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