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chenyuer

银虫 (小有名气)

[交流] CaBi4Ti4O15高温压电陶瓷技术交流 已有7人参与

各位虫友,大家好!
    我是新手,请多指教。我是做CaBi4Ti4O15高温压电陶瓷的,主要是工程化应用。目标是要把它的压电系数d33提高到18pC/N以上,采取的是A位掺(NaCe)取代Ca,B位掺Nb取代Ti得改性方式。没有用等静压成型(只采取了10MPa的干压成型),配料时Bi也未过量,在1120~1150置于密封的氧化铝干锅中烧出来的陶瓷外观效果还是不错,可以在150~180度油浴中施加16Kv/mm的电场极化,说明我的陶瓷电阻率还是很高,但是压电性就只有15左右,也调整过掺杂量,但是效果不明显,似乎15就是极限了,但看上硅所得一些文章,仅仅掺(NaCe)就可以把它做到20,真不知道他们怎么做的,我照着做就做不出来,连15都不到,想听取下大家的意见。请大家不吝赐教。
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chenyuer

银虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by mse507 at 2012-03-22 11:31:21:
建议你把工作重点放在织构上,CBTi各向异性太强了,尽可能提高a-轴取向的择优度是提高d33的最有效方法。

谢谢mse507很好的建议,织构化对于铋层状性能提升确实相当有效,我也曾经考虑过在工艺上改进,但由于今后考虑把该项目面向工业生产,所以希望在常规的掺杂改性上取得进展,织构的化适合科学研究。
4楼2012-04-05 21:48:02
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jkcls

木虫 (小有名气)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
呵呵。。。前段时间我也做过,同样体系,D33也只做到19。如果照别人的文章就能做出来,那别人辛苦的工作不是被你免费得到了。
2楼2012-03-22 09:24:24
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mse507

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
建议你把工作重点放在织构上,CBTi各向异性太强了,尽可能提高a-轴取向的择优度是提高d33的最有效方法。
3楼2012-03-22 11:31:21
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deadleaf

木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
上硅所那个是做不出来的,有技术上的保密。
5楼2012-04-06 10:13:26
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