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jinzelvzju

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[求助] 请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?

请问光催化金属沉积、掺杂和半导体复合的缺点分别是什么?
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天行健
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jinzelvzju

捐助贵宾 (正式写手)

引用回帖:
11楼: Originally posted by starvyes at 2012-04-16 15:01:41:
贵金属的成本会比较大,实际应用中都可以通过不参杂催化剂的数量去弥补活性,而且都会倾向于炒作理论,像“限域”问题;参杂么可以做可见光,比如TiO2掺杂N,不过这类掺杂一般寿命都比较短,实际应用价值不高;至 ...

谢谢!请问“通过不参杂催化剂的数量去弥补活性”什么意思,另外,掺杂寿命短主要是什么原因导致的,是所有掺杂都会寿命短吗?
天行健
12楼2012-04-16 16:41:02
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jinzelvzju

捐助贵宾 (正式写手)

最近很奇怪,我陆续发了5贴都没人回?我的问题有问题?
天行健
2楼2012-03-02 19:14:45
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clay8519

木虫 (正式写手)

lz连问题都没问清楚
3楼2012-03-02 19:45:42
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jinzelvzju

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引用回帖:
3楼: Originally posted by clay8519 at 2012-03-02 19:45:42:
lz连问题都没问清楚

总算有人回贴了,谢谢啊。
我再整理一下问题。贵金属沉积、掺杂和半导体复合3种方法都可以改性TiO2,提高光电转化效率,我就是想请教一下它们各自的不足在哪儿里,比如说热稳定性差等等。
不知道这样有没有清楚些?
天行健
4楼2012-03-02 21:09:01
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