不等价掺杂半导体的间隙态会“停在"哪个原子上？ - 第一性原理 - 其他

11楼2012-02-20 14:07:03

贺仪

铁杆木虫 (著名写手)

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我先问个问题：
‘DOS上会在禁带中出现一个population为2e的间隙态’，间隙态只在A和B情况下存在吗？C，D不存在？在vasp中能得出这个间隙态吗？

如果都存在间隙态的话，可以把试试画出单个元素的DOS，然后看能不能找到在间隙态能量附近的dos

如果不存在，电子还是在能带中，这个空穴就不会具体地localization到某个原子上而是整个带中

嘟啦啦嘟啦啦嘟

12楼2012-02-20 15:11:43

cenwanglai

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老和山猥琐派九段

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引用回帖:

12楼: Originally posted by 贺仪 at 2012-02-20 15:11:43:
我先问个问题：
‘DOS上会在禁带中出现一个population为2e的间隙态’，间隙态只在A和B情况下存在吗？C，D不存在？在vasp中能得出这个间隙态吗？

如果都存在间隙态的话，可以把试试画出单个元素的DOS，然后看能 ...

A-D无论那种情况，都会出现population为2的间隙态(受主能级，实际上没有电子填充)。

这里只是讨论hole（s)的localizaton的位置。

13楼2012-02-20 15:37:53

franch

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引用回帖:

10楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-02-20 11:05:11:
请给出文献。

Mn/Fe取代掺杂TiO2，没有氧空位形成的情况下，Ti价态并不变。支持文献：

G. Shao, J. Phys. Chem. C, 2009, 113, 6800.

你说的，莫不是三价金属原子取代掺杂TiO2形成一个氧空位的情况？

Ti3+是伴随着氧空位产生的。。。低价元素掺杂也不能避免氧空位的产生。

遇弱则弱

14楼2012-02-20 16:31:38

Sleepybird

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天，都是计算的高手啊。我这种MS菜鸟完全没看懂，膜拜一下！

15楼2014-12-30 18:53:26