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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 看看别人仅用VASP做DOS计算发好文章（两篇PRL）
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windring
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[ Last edited by windring on 2012-2-6 at 15:17 ]
11楼2012-02-06 18:14:11
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souledge

专家顾问 (著名写手)
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uuv2010(金币+1): 多谢参与讨论！ 2012-02-07 10:38:07
看文章中写的（2009年那篇，在第二页右栏中间部位）：
引用回帖:
The neutral 2p orbital energy of carbon and nitrogen are 3.8 and 2.0 eV higher, respectively, than O 2p oribtal energy

作者是怎样计算不同元素单个轨道之间的能量对比的呢……
在随后的第三页开头，LZ虽然提到了方法，但是没有看明白～难道是用不同的configuration来算赝势？可是怎么假设能让外层的s轨道是0呢……把电子假设激发到p轨道？
引用回帖:
we calculated d orbital eigenvalues of these transition metals in d^{n}s^{0} configurations.
(n = 2 for Ti, n = 3 for V and Nb, n = 4 for Cr and Mo)

[ Last edited by souledge on 2012-2-6 at 23:05 ]
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思想重于技巧，内涵重于表象
12楼2012-02-06 22:45:49
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cenwanglai

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引用回帖:
12楼: Originally posted by souledge at 2012-02-06 22:45:49:
看文章中写的（2009年那篇，在第二页右栏中间部位）：

作者是怎样计算不同元素单个轨道之间的能量对比的呢……
在随后的第三页开头，LZ虽然提到了方法，但是没有看明白～难道是用不同的configuration来算赝势 ...

确实不知。

dns0的意思，我以为是d中电子保留，外层s电子忽略，作为0来处理，而不是激发到更外层的p轨道上。
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13楼2012-02-07 09:32:35
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souledge

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fzx2008(金币+2, 专家考核): 谢谢交流 2012-02-14 10:13:48
引用回帖:
13楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-02-07 09:32:35:
确实不知。

dns0的意思，我以为是d中电子保留，外层s电子忽略，作为0来处理，而不是激发到更外层的p轨道上。

问题是咋忽略～比如Ti在建立赝势时，可以定义为：config = '[Ar] 3d^2 4s^2'
如果搞成3d^2 4s^0，那会跟总电子数冲突～如果搞成config = '[Ca] 3d^2'，又没有这种“插入”内层电子的玩法～
只有在制作multi-projector赝势的时候，才会考虑几种得失电子的情况，但是这些情况似乎不会单独被计算吧……尤其是VASP，好像根本就没有给制作赝势的工具和参数说明吧……
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思想重于技巧，内涵重于表象
14楼2012-02-07 10:19:24
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valenhou001

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fzx2008(金币+1, 专家考核): 谢谢交流 2012-02-14 10:14:10
引用回帖:
8楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-02-05 12:12:23:
来自百度：http://baike.baidu.com/view/1365857.htm
魏苏淮　
　  
男，1957年10月出生，美国再生能源国家实验室材料研究中心理论研究室主任，首席科学家。1981年6月毕业于复旦大学物理系，获 ...

魏老师对半导体掺杂的理论研究功力很深。应该算是现在半导体掺杂第一原理计算这一块Top level (还包括Alex Zunger, S. B. Zhang,  C. G. Van de Walle, J. Neugebauer等)。
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15楼2012-02-14 09:58:24
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cenwanglai

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引用回帖:
15楼: Originally posted by valenhou001 at 2012-02-14 09:58:24:
魏老师对半导体掺杂的理论研究功力很深。应该算是现在半导体掺杂第一原理计算这一块Top level (还包括Alex Zunger, S. B. Zhang,  C. G. Van de Walle, J. Neugebauer等)。

侯老师帮看看这个。1楼第一个附件中的问题。
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16楼2012-02-14 11:17:27
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valenhou001

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cenwanglai(金币+5, 专家考核): 谢谢回复~~ 2012-02-14 12:39:05
"上面这段文字中的charge-compensated donnor-acceptor是什么意思？在这篇文章中N-V（Nb）配对，N相对TiO2中的O缺1个电子，V相对Ti多一个电子；C-Cr(Mo)配对,前者相对O少两个电子，后者相对Ti多两个电子。非金属掺杂元素所少的电子数正式过渡金属掺杂原子所多出的电子数，这就是所谓的charge-compesated donnor-acceptor? "

基本上就是你那么理解的。一种掺杂剂是提供电子，另一中掺杂剂提供空穴。

“（1）通过掺杂调整半导体禁带宽度，这个是早就写进教材中的“常识”。第一篇文章到底给出了什么特别的，新奇的，但是也有一定普遍指导意义的东西呢？
或者只是因为这篇文章做的体系联合了TiO2+光催化分解水+非金属掺杂的试验研究等当时热门的话题。”

有些idea看似简单，但提出，并进行一定的数据或事实来进行证明。整个过程都很关键。
“（2）第一篇文章中没有给出非金属-金属共掺杂的几何结构。没有给出掺杂原子取代相对位置。这个可以吗？”
对PRL，这些应该算细节性的东西，很多由于篇幅的限制，不能把这些都放进去。我想基本上，作者应该读这些做了仔细的计算。
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17楼2012-02-14 12:33:06
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valenhou001

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16楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-02-14 12:17:27:
侯老师帮看看这个。1楼第一个附件中的问题。

应该用其他的程序，比如造赝势的程序或LAPW等，对一个原子的不同电子组态进行计算得到的值。
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18楼2012-02-14 15:03:25
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cenwanglai

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18楼: Originally posted by valenhou001 at 2012-02-14 15:03:25:
应该用其他的程序，比如造赝势的程序或LAPW等，对一个原子的不同电子组态进行计算得到的值。

你看可不可以用一种简单一些的方法替代：

dns0意味着金属氧化物中金属元素有d电子，对PDOS中金属原子处在价带部分做积分，得到总能量。用这个能量作为基准来比较？
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19楼2012-02-14 15:51:58
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valenhou001

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19楼: Originally posted by cenwanglai at 2012-02-14 16:51:58:
你看可不可以用一种简单一些的方法替代：

dns0意味着金属氧化物中金属元素有d电子，对PDOS中金属原子处在价带部分做积分，得到总能量。用这个能量作为基准来比较？

没有意义。这个得到值，太具有任意性了。
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20楼2012-02-14 16:28:50
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