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偶极矩分析
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请问：CASTEP怎么对材料进行偶极分析？ 在光化学反应中，往往需要分析材料的偶极距，因为偶极矩产生的内部电场有利于电荷空穴的分离，我知道CASTEP里面可以进行布局分析（population analysis），从而可以知道原子的价键，这为偶极的分析提供了一个物理量Q（电荷），但是另一个量——r（距离）怎么得到呢？晶体材料中键的取向多而复杂，不好对键进行合成分析，那么怎么进一步可以得到偶极距呢？或者除了通过布局分析，还可以有什么方法得到偶极矩？ |
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 VASP and MS | 半导体薄膜制备及表征 |
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3楼2012-01-10 19:51:31
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liliangfang(金币+1): 谢谢交流 2012-01-13 10:15:43
liliangfang(金币+1): 谢谢交流 2012-01-13 10:15:43
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我看了你说的复杂的格子，并不复杂，另外科研有时花笨功夫得到的，往往是你独有的东西，而商业软件计算得到的，通过相同的设置是大多数人都可以得到的，对于你的结构，所谓的矢量合成只是一些原子矢量坐标的加法而已，不用把每一对电偶极子的方向都写出来，所以与键的具体方向无关，因为已经内含在原子的矢量坐标中啦，矢量加法的结果已经包含两点之间的矢量方向，只考虑离子键共价键就行啦，考虑布居，也不过是每个原子坐标加两次而已，几十个原子小case啦，只是有些繁琐，而且对于晶体而言只算一个有限大的胞就可以啦，说的不对的地方请包涵。 |
13楼2012-01-13 08:23:53
2楼2012-01-09 18:46:42
sunboyccc
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navyzhang
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9楼2012-01-11 15:55:39
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VASP也不能直接得出偶极矩的数值？ 这么说，你是只取一个BiO4X4结构单位，代表一个单胞BiOX进行计算偶极？具体的计算，是根据密立根电荷和键长分别计算出各个取向的偶极，再进行偶极的矢量合成，得到一个BiO4X4结构的偶极，是吗？ 卤氧铋各元素比为1:1:1的计算还好说点，但如果要分析其他比例的就比较困难了，比如Bi3O4Cl (元素比为3:4:1) 的体系，化学键有点复杂，而且如果要比较偶极在1:1:1和3:4:1的氯氧铋中的不同，所取的多面体结构单元的大小或体积也得保持一致吧？这样的话，偶极计算显得很复杂嘞。 附件中是Bi3O4Cl 的结构图 |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : Bi3O4Cl.jpg
2012-01-11 17:33:07, 1.68 M
10楼2012-01-11 17:33:41
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