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偶极矩分析
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请问：CASTEP怎么对材料进行偶极分析？ 在光化学反应中，往往需要分析材料的偶极距，因为偶极矩产生的内部电场有利于电荷空穴的分离，我知道CASTEP里面可以进行布局分析（population analysis），从而可以知道原子的价键，这为偶极的分析提供了一个物理量Q（电荷），但是另一个量——r（距离）怎么得到呢？晶体材料中键的取向多而复杂，不好对键进行合成分析，那么怎么进一步可以得到偶极距呢？或者除了通过布局分析，还可以有什么方法得到偶极矩？ |
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 VASP and MS | 半导体薄膜制备及表征 |
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VASP也不能直接得出偶极矩的数值？ 这么说，你是只取一个BiO4X4结构单位，代表一个单胞BiOX进行计算偶极？具体的计算，是根据密立根电荷和键长分别计算出各个取向的偶极，再进行偶极的矢量合成，得到一个BiO4X4结构的偶极，是吗？ 卤氧铋各元素比为1:1:1的计算还好说点，但如果要分析其他比例的就比较困难了，比如Bi3O4Cl (元素比为3:4:1) 的体系，化学键有点复杂，而且如果要比较偶极在1:1:1和3:4:1的氯氧铋中的不同，所取的多面体结构单元的大小或体积也得保持一致吧？这样的话，偶极计算显得很复杂嘞。 附件中是Bi3O4Cl 的结构图 |
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2012-01-11 17:33:07, 1.68 M
10楼2012-01-11 17:33:41
navyzhang
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3楼2012-01-10 19:51:31
sunboyccc
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4楼2012-01-10 20:15:35
uuv2010
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5楼2012-01-10 21:09:28