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偶极矩分析
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请问：CASTEP怎么对材料进行偶极分析？ 在光化学反应中，往往需要分析材料的偶极距，因为偶极矩产生的内部电场有利于电荷空穴的分离，我知道CASTEP里面可以进行布局分析（population analysis），从而可以知道原子的价键，这为偶极的分析提供了一个物理量Q（电荷），但是另一个量——r（距离）怎么得到呢？晶体材料中键的取向多而复杂，不好对键进行合成分析，那么怎么进一步可以得到偶极距呢？或者除了通过布局分析，还可以有什么方法得到偶极矩？ |
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 VASP and MS | 半导体薄膜制备及表征 |
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8楼2012-01-11 13:35:30
navyzhang
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3楼2012-01-10 19:51:31
sunboyccc
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5楼2012-01-10 21:09:28