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sangyungan

银虫 (小有名气)

[求助] 电致发光 载流子在有源层中的传输机制

请教各位仁人志士,载流子在氮化硅(可以是其它薄膜)薄膜中的传输机制模型有哪些,公式分别是什么?重点请教F-N传输模型的公式及相关文献。

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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

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sangyungan(金币+3, 博学EPI+1): ★★★很有帮助 2012-01-06 15:18:59
sangyungan(金币+1): 2012-02-17 20:54:09
在微电子技术中,当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度,薄至与载流子的德布罗意波(de Broglie波)的波长差不多时,即可发生载流子的隧穿效应,从而产生隧穿电流。
    F-N传输模型是用来解释MIS的隧穿电流的。
对于半导体异质结或者MIS的界面势垒,在加有较高的电压时,势垒中的电场很强,则这时电子隧穿的界面势垒可近似为三角形势垒(见图2),并且该隧穿三角形势垒的宽度与外加电压有关(即与电场E有关);这种隧穿称为Fowler-Nordheim隧穿。
https://baike.baidu.com/view/3101925.htm
没有困难创造困难也要上网。
2楼2012-01-06 14:22:56
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qfw_68

版主 (文坛精英)

有尾巴的青蛙

【答案】应助回帖

sangyungan(金币+1): 有帮助 2012-01-06 15:19:27
氮化硅或二氧化硅等就是其中的I层(即绝缘体层),只有它们薄到一定程度才有隧穿电流。
没有困难创造困难也要上网。
3楼2012-01-06 14:25:14
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