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sangyungan银虫 (小有名气)
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电致发光 载流子在有源层中的传输机制
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| 请教各位仁人志士，载流子在氮化硅（可以是其它薄膜）薄膜中的传输机制模型有哪些，公式分别是什么？重点请教F-N传输模型的公式及相关文献。 |
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qfw_68
版主 (文坛精英)
有尾巴的青蛙
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【答案】应助回帖
sangyungan(金币+3, 博学EPI+1): ★★★很有帮助 2012-01-06 15:18:59
sangyungan(金币+1): 2012-02-17 20:54:09
sangyungan(金币+1): 2012-02-17 20:54:09
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在微电子技术中，当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度，薄至与载流子的德布罗意波（de Broglie波）的波长差不多时，即可发生载流子的隧穿效应，从而产生隧穿电流。 F-N传输模型是用来解释MIS的隧穿电流的。 对于半导体异质结或者MIS的界面势垒，在加有较高的电压时，势垒中的电场很强，则这时电子隧穿的界面势垒可近似为三角形势垒（见图2），并且该隧穿三角形势垒的宽度与外加电压有关（即与电场E有关）；这种隧穿称为Fowler-Nordheim隧穿。 https://baike.baidu.com/view/3101925.htm |
2楼2012-01-06 14:22:56
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3楼2012-01-06 14:25:14
