| 查看: 853 | 回复: 2 | |||
| 本帖产生 1 个 博学EPI ，点击这里进行查看 | |||
sangyungan银虫 (小有名气)
|
[求助]
电致发光 载流子在有源层中的传输机制
|
||
| 请教各位仁人志士，载流子在氮化硅（可以是其它薄膜）薄膜中的传输机制模型有哪些，公式分别是什么？重点请教F-N传输模型的公式及相关文献。 |
回复此楼» 猜你喜欢
本人女孩
已经有9人回复
-
085501机械专硕 302分 不挑专业求调剂
已经有7人回复
-
一志愿厦大0856，306求调剂
已经有5人回复
-
366求调剂
已经有3人回复
-
一志愿新疆大学085401，314分
已经有3人回复
-
271求调剂
已经有14人回复
-
305求调剂
已经有4人回复
-
211本科材料化工求调剂
已经有7人回复
-
332求调剂
已经有13人回复
-
295求调剂
已经有4人回复
qfw_68
版主 (文坛精英)
有尾巴的青蛙
- 博学EPI: 2910
- 应助: 120 (高中生)
- 贵宾: 0.414
- 金币: 85720.6
- 散金: 3020
- 红花: 212
- 沙发: 7684
- 帖子: 39484
- 在线: 4852.6小时
- 虫号: 797958
- 注册: 2009-06-24
- 性别: GG
- 专业: 自然语言理解与机器翻译
- 管辖: 有奖问答
【答案】应助回帖
sangyungan(金币+3, 博学EPI+1): ★★★很有帮助 2012-01-06 15:18:59
sangyungan(金币+1): 2012-02-17 20:54:09
sangyungan(金币+1): 2012-02-17 20:54:09
|
在微电子技术中，当半导体的势垒或者二氧化硅薄膜的厚度，薄至与载流子的德布罗意波（de Broglie波）的波长差不多时，即可发生载流子的隧穿效应，从而产生隧穿电流。 F-N传输模型是用来解释MIS的隧穿电流的。 对于半导体异质结或者MIS的界面势垒，在加有较高的电压时，势垒中的电场很强，则这时电子隧穿的界面势垒可近似为三角形势垒（见图2），并且该隧穿三角形势垒的宽度与外加电压有关（即与电场E有关）；这种隧穿称为Fowler-Nordheim隧穿。 https://baike.baidu.com/view/3101925.htm |
2楼2012-01-06 14:22:56
qfw_68
版主 (文坛精英)
有尾巴的青蛙
- 博学EPI: 2910
- 应助: 120 (高中生)
- 贵宾: 0.414
- 金币: 85720.6
- 散金: 3020
- 红花: 212
- 沙发: 7684
- 帖子: 39484
- 在线: 4852.6小时
- 虫号: 797958
- 注册: 2009-06-24
- 性别: GG
- 专业: 自然语言理解与机器翻译
- 管辖: 有奖问答
3楼2012-01-06 14:25:14
5