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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 关于半导体的光学带隙Eopt和能级带隙Eg
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玉面小飞龙

木虫 (著名写手)

[求助] 关于半导体的光学带隙Eopt和能级带隙Eg

这两者有什么实质性的区别吗？还有就是为什么Eopt要小于或者等于Eg呢？不解，求高手赐教，谢谢。
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1楼 2012-01-04 10:48:10
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wzf99199

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
玉面小飞龙: 金币+1, ★有帮助 2012-03-31 08:33:05
玉面小飞龙: 金币+4 2012-04-01 08:44:58
请问你在哪篇文献里看到的光学带隙要小于实际带隙值？是不是掺杂了其他离子了，这样的话，在价带与导带之间可能会形成局域能级，导致光学带隙偏小。
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3楼2012-03-29 21:56:28
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炮灰大神

木虫 (著名写手)
我是菜鸟。也许因为能量略小于带隙的光子也是可以被吸收的，至于原因么，可能就多种多样了，有的和局域中心电场有关，有的和声子有关，等等。关键是很多带隙是通过吸收光谱来测量的，而到底吸收系数的什么位置定义为带隙，不同的文献标准也不一定。。。。
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我是一个虚伪的人。
2楼2012-01-05 01:59:42
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玉面小飞龙

木虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by wzf99199 at 2012-03-29 21:56:28:
请问你在哪篇文献里看到的光学带隙要小于实际带隙值？是不是掺杂了其他离子了，这样的话，在价带与导带之间可能会形成局域能级，导致光学带隙偏小。

是在有机太阳能电池里面，有机半导体中光学带隙要小于实际带隙值
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4楼2012-03-29 22:33:23
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