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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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topten-gg

银虫 (正式写手)

[求助] 若问一下 pw.x计算了si.scf

结果文件中能找到gap数值吗
如果没有 需要怎么计算得到gap数值
就是example01的算例

pw新手 在此谢了
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1楼 2011-12-23 21:36:14
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souledge

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang(金币+1): 多谢指教 2011-12-25 18:57:37
topten-gg(金币+1): 2011-12-25 22:13:35
对于半导体，带隙的定义为导带底减价带顶。自己做出能带图来量一下就OK了。
赞一下(1人) 回复此楼
思想重于技巧，内涵重于表象
2楼2011-12-24 09:09:37
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xhzha

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang(金币+1): 谢谢交流 2011-12-25 18:57:51
topten-gg(金币+1): 2011-12-25 22:13:41
有带隙的话，倒带底减去价带顶就是带隙。不过第一性原理算硅是不是不准，我知道用siesta算出来的不准，听说要用多体微扰理论才能算的比较准
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3楼2011-12-25 17:54:03
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hanyanli0475

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
topten-gg(金币+1): 2011-12-25 22:13:46
也可以在nscf.out文件中，找到价带顶能量值和导带底能量值，做差就可以。第一性元计算带隙值，和实验相差很大。
赞一下 回复此楼
什么时候能算完！！！！
4楼2011-12-25 20:43:24
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identation

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang(金币+1): 多谢提示 2011-12-28 08:52:26
没法直接通过SCF计算得到能带，你要先scf，然后计算bands，做出能带图，导带底减价带顶，得能带
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5楼2011-12-27 23:42:17
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