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关于能带结构的一些疑惑
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图(a)-(d)均是用DMol3画出的（10,0）BNNT的能带结构，（a）是本人所做，(b)-(d)为文献中的图。 图（b）的Fermi能级都在最高价带及能量为0的位置，可以判断是直接用Dmol3给出的数据画图，没做修改。 第一个问题：图(c)和(d)是不是根据本征半导体的Fermi能级位于禁带的中央的原则做出来的，但是我看图(c)和(d)中也不是在正中间啊？ 第二个问题：图（d）中Fermi能级为什么在约-1.3eV位置？我根据bandstr.outmol中给出的Fermi energy计算得到的是约-2.1eV。 第三个问题：bandstr.outmol和dos.outmol给出的Fermi energy不一样，为什么？  （10,0）BNNT能带结构 |
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