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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 寻找掩膜材料，提高深宽比
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hflyover

铜虫 (初入文坛)

[求助] 寻找掩膜材料，提高深宽比

小弟尽量言简意赅--
1,寻找合适的材料做掩膜，详情如下:
目的：掩膜附在多晶硅片表面，激光烧蚀掩膜形成圆孔状窗口，酸液从窗口腐蚀硅片形成小坑，从而降低反射率。
要求：抗蚀性，掩膜不会被酸液腐蚀；
          粘附性，减缓坑侧壁的腐蚀速度，提高深宽比。

2,有什么措施能提高深宽比?有资料说搅拌加速流动能提高刻蚀深度，大家有什么经验？
3，有谁做过蒸镀掩膜的，均匀性怎么保证
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1楼 2011-12-10 18:17:02
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khjxy

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
一般做掩膜的材料有：二氧化硅（氮化硅）、光刻胶、金属薄膜如Ni，Au等
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2楼2011-12-11 20:06:39
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
感谢参与，应助指数 +1
lchpy: 版内不允许回复广告信息,如果有需要,您可以私下站内联系楼主~ 谢谢理解~ 2011-12-12 08:06:49
本帖内容被屏蔽
3楼2011-12-11 20:50:08
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hflyover

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
楼: Originally posted by khjxy at 2011-12-11 20:06:39:
一般做掩膜的材料有：二氧化硅（氮化硅）、光刻胶、金属薄膜如Ni，Au等

二氧化硅我也想试试啊，但是好像不能作为腐蚀的掩膜，采用化学方法，能腐蚀硅片的腐蚀剂似乎都能腐蚀二氧化硅啊。有没有合适的腐蚀剂呢？
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4楼2011-12-11 22:42:03
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hflyover

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
楼: Originally posted by kebaoyuan at 2011-12-11 20:50:08:
我们是专业制作掩膜板的公司，最小做过0.01mm开口的掩膜板.
你可以参考我们发布的广告贴：
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3665658
我们掩膜板制作主要工艺为激光切割，通过电脑控制激光 ...

谢谢关注，我使用激光制作掩膜窗口，暂时不需要掩膜版
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5楼2011-12-11 22:43:06
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)
★
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-12-12 08:07:10
本帖内容被屏蔽
6楼2011-12-12 07:43:40
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hflyover

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
楼: Originally posted by kebaoyuan at 2011-12-12 07:43:40:
蚀刻有一种干膜，可能达到你的要求,可参考：
http://baike.baidu.com/view/2221891.htm

杜邦的是不错的，你可以联系一下他们。药水他们可能也能给你些建议。

谢谢啦
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7楼2011-12-12 11:25:03
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
问题表达的不清楚啊。确定是多晶硅片？既然是降低反射率又想保证深宽比，为什么不考虑用干法刻蚀和电化学腐蚀呢？PVD做hardmask均匀性是没有问题的，再说你只是用它做掩模只要选择比足够高，有必要担心均匀性么？
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8楼2011-12-14 13:55:04
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hflyover

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
楼: Originally posted by damuchongzi at 2011-12-14 13:55:04:
问题表达的不清楚啊。确定是多晶硅片？既然是降低反射率又想保证深宽比，为什么不考虑用干法刻蚀和电化学腐蚀呢？PVD做hardmask均匀性是没有问题的，再说你只是用它做掩模只要选择比足够高，有必要担心均匀性么？

你好，谢谢关注。
我试验方法限制在化学方法。
确定是多晶硅片。
经你提醒我也觉得均匀性不是主要的问题。那么目前的问题就是掩膜的封闭性了，我一直是用石蜡等油脂溶解后涂在硅片表面，溶剂挥发后形成一层掩膜。但是激光刻蚀出窗口之后，用HF+HNO腐蚀硅片，掩膜封闭性很不好啊，没有刻蚀的地方也与酸液反应冒出气泡。
目前也用PECVE做了SiN掩膜，还在摸索中。
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9楼2011-12-14 14:26:30
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