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hflyover

铜虫 (初入文坛)

[求助] 寻找掩膜材料,提高深宽比

小弟尽量言简意赅--
1,寻找合适的材料做掩膜,详情如下:
目的:掩膜附在多晶硅片表面,激光烧蚀掩膜形成圆孔状窗口,酸液从窗口腐蚀硅片形成小坑,从而降低反射率。
要求:抗蚀性,掩膜不会被酸液腐蚀;
          粘附性,减缓坑侧壁的腐蚀速度,提高深宽比。

2,有什么措施能提高深宽比?有资料说搅拌加速流动能提高刻蚀深度,大家有什么经验?
3,有谁做过蒸镀掩膜的,均匀性怎么保证
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khjxy

铜虫 (初入文坛)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
一般做掩膜的材料有:二氧化硅(氮化硅)、光刻胶、金属薄膜如Ni,Au等
2楼2011-12-11 20:06:39
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)

感谢参与,应助指数 +1
lchpy: 版内不允许回复广告信息,如果有需要,您可以私下站内联系楼主~ 谢谢理解~ 2011-12-12 08:06:49
本帖内容被屏蔽

3楼2011-12-11 20:50:08
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hflyover

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
楼: Originally posted by khjxy at 2011-12-11 20:06:39:
一般做掩膜的材料有:二氧化硅(氮化硅)、光刻胶、金属薄膜如Ni,Au等

二氧化硅我也想试试啊,但是好像不能作为腐蚀的掩膜,采用化学方法,能腐蚀硅片的腐蚀剂似乎都能腐蚀二氧化硅啊。有没有合适的腐蚀剂呢?
4楼2011-12-11 22:42:03
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hflyover

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
楼: Originally posted by kebaoyuan at 2011-12-11 20:50:08:
我们是专业制作掩膜板的公司,最小做过0.01mm开口的掩膜板.
你可以参考我们发布的广告贴:
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3665658
我们掩膜板制作主要工艺为激光切割,通过电脑控制激光 ...

谢谢关注,我使用激光制作掩膜窗口,暂时不需要掩膜版
5楼2011-12-11 22:43:06
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kebaoyuan

禁言 (小有名气)

★
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-12-12 08:07:10
本帖内容被屏蔽

6楼2011-12-12 07:43:40
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hflyover

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
楼: Originally posted by kebaoyuan at 2011-12-12 07:43:40:
蚀刻有一种干膜,可能达到你的要求,可参考:
http://baike.baidu.com/view/2221891.htm

杜邦的是不错的,你可以联系一下他们。药水他们可能也能给你些建议。

谢谢啦
7楼2011-12-12 11:25:03
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damuchongzi

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
问题表达的不清楚啊。确定是多晶硅片?既然是降低反射率又想保证深宽比,为什么不考虑用干法刻蚀和电化学腐蚀呢?PVD做hardmask均匀性是没有问题的,再说你只是用它做掩模只要选择比足够高,有必要担心均匀性么?
8楼2011-12-14 13:55:04
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hflyover

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
楼: Originally posted by damuchongzi at 2011-12-14 13:55:04:
问题表达的不清楚啊。确定是多晶硅片?既然是降低反射率又想保证深宽比,为什么不考虑用干法刻蚀和电化学腐蚀呢?PVD做hardmask均匀性是没有问题的,再说你只是用它做掩模只要选择比足够高,有必要担心均匀性么?

你好,谢谢关注。
我试验方法限制在化学方法。
确定是多晶硅片。
经你提醒我也觉得均匀性不是主要的问题。那么目前的问题就是掩膜的封闭性了,我一直是用石蜡等油脂溶解后涂在硅片表面,溶剂挥发后形成一层掩膜。但是激光刻蚀出窗口之后,用HF+HNO腐蚀硅片,掩膜封闭性很不好啊,没有刻蚀的地方也与酸液反应冒出气泡。
目前也用PECVE做了SiN掩膜,还在摸索中。
9楼2011-12-14 14:26:30
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