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xycqy

铜虫 (初入文坛)

[交流] 缺陷结合能和形成能

小弟最近弄些缺陷的计算，读了一些文献关于缺陷来说总提到一个形成能和结合能。自己目前的理解是，结合能越大，越容易形成这种缺陷，形成能越小，也越容易形成。现在想算在含有一个空位的Fe的超胞中掺杂He，计算He和空位结合形成He-V复合体的结合能。看了好多文献都不太明白，而且算出来He和空位结合后的能量要比结合之前高，实验结果是He-V复合体很稳定，而且很容易形成，结合能比较高。有没有算过缺陷的大牛指点一下呢？结合能和形成能究竟有啥不一样呢？谢谢
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xycqy

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1楼 2011-12-05 22:29:09
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ajp

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
13楼: Originally posted by valenhou001 at 2011-12-06 09:20:44
本人同合作者刚好做一个工作，研究掺杂原子与材料的本征缺陷(比如空位等)之间的相互作用。把一些形成能的公式相互捣腾，弄出了几个能说明问题的公式。这些公式捣腾起来很简单，但是它们可广泛用于掺杂和缺陷研究里面 ...

您好，楼主，您的文章可以贴出来学习一下吗
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31楼2018-11-14 20:09:55
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stractor

金虫 (著名写手)
★ ★ ★
xycqy(金币+2):谢谢参与
cenwanglai(金币+2): 谢谢回复！ 2011-12-06 07:09:34
你没有给出结合能公式，不能判断结合能是正的稳定还是负的时候稳定。而文献中都会给出结合能计算方法。
结合能是针对多个孤立缺陷而言，缺陷形成能是针对某一个缺陷而言。结合能是判断两个或多个孤立缺陷是容易聚集还是易于分离。
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2楼2011-12-06 06:39:04
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leimiao_hit

木虫之王 (文学泰斗)
★
xycqy(金币+2):谢谢参与
文献中都会给出结合能计算方法
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4楼2011-12-06 08:45:28
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xycqy

铜虫 (初入文坛)
送鲜花一朵
引用回帖:
1楼: Originally posted by xycqy at 2011-12-05 22:29:09:
小弟最近弄些缺陷的计算，读了一些文献关于缺陷来说总提到一个形成能和结合能。自己目前的理解是，结合能越大，越容易形成这种缺陷，形成能越小，也越容易形成。现在想算在含有一个空位的Fe的超胞中掺杂He，计算H ...

我看的几个PRB的文献，有一个是这样的：A+B———C，那么结合能就是：A的形成能加上B的形成能，然后减去C的形成能。这样的话，形成能又是怎么算呢？假设A和B都是单个缺陷，他们的形成能容易算，可是形成的复合缺陷的形成能怎么计算呢？谢谢
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5楼2011-12-06 08:47:29
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wangjb4017楼
2011-12-06 08:58   回复  
xycqy(金币+2):谢谢参与
引用回帖:
3楼: Originally posted by zyxme at 2011-12-06 06:53:19: 祝福

吾欲奔三十10楼
2011-12-06 09:05   回复  
xycqy(金币+2):谢谢参与
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