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小强还活着

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[求助] trench NMOS 衬地浮空问题【已搜索无重复】

测试条件：FIG1所示，当g=-7v,S=0v,D=-7v，这个NMOS的衬地是浮空的；
疑问：
1），这个NMOS是否会有漏电？
2），相应的机理（漏电/不漏电）是什么？

测试条件：当g=0v,S=0，D=12V，这个NMOS的衬地是浮空的；
3），这个NMOS是否会有漏电？
4），相应的机理（漏电/不漏电）是什么？

fig2 测试电路

fig1 测试电路

[ 来自科研家族 ESD家族 ]

[ Last edited by 小强还活着 on 2011-12-3 at 10:59 ]

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始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向

1楼 2011-12-03 10:55:03

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引用回帖:

楼: Originally posted by sunyuanxin at 2011-12-27 22:53:38:
drain to source肯定是有的。按照MOSFET level1模型的I/V特性，VGS只要大于threshold voltage就会有drain to source的电流。

1),G=0V,S=0,D=12V,VGS 2),G=-7V,S=0,D=-7V,考虑到源漏可以互换,实际上VGS=0