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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » trench NMOS 衬地浮空问题【已搜索无重复】
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

[求助] trench NMOS 衬地浮空问题【已搜索无重复】

测试条件：FIG1所示，当g=-7v,S=0v,D=-7v，这个NMOS的衬地是浮空的；
疑问：
1），这个NMOS是否会有漏电？
2），相应的机理（漏电/不漏电）是什么？

测试条件：当g=0v,S=0，D=12V，这个NMOS的衬地是浮空的；
3），这个NMOS是否会有漏电？
4），相应的机理（漏电/不漏电）是什么？

fig2 测试电路



fig1 测试电路



[ 来自科研家族 ESD家族 ]

[ Last edited by 小强还活着 on 2011-12-3 at 10:59 ]
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1楼 2011-12-03 10:55:03
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sunyuanxin

禁虫 (著名写手)
感谢参与，应助指数 +1
本帖内容被屏蔽
2楼2011-12-25 17:50:27
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

引用回帖:
2楼: Originally posted by sunyuanxin at 2011-12-25 17:50:27:
漏电是指的有drain current还是s和b之间有电流？

Drain to source
或者drain to body，只要存在大的漏流(mA级别，正常情况下为nA级)即可
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3楼2011-12-26 19:44:50
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sunyuanxin

禁虫 (著名写手)
小强还活着(金币+1): 2012-01-08 10:07:39
本帖内容被屏蔽
4楼2011-12-27 22:53:38
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

引用回帖:
楼: Originally posted by sunyuanxin at 2011-12-27 22:53:38:
drain to source肯定是有的。按照MOSFET level1模型的I/V特性，VGS只要大于threshold voltage就会有drain to source的电流。

1),G=0V,S=0,D=12V,VGS 2),G=-7V,S=0,D=-7V,考虑到源漏可以互换,实际上VGS=0
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始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
5楼2011-12-28 17:39:58
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sunyuanxin

禁虫 (著名写手)
本帖内容被屏蔽
6楼2012-01-11 15:58:27
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小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

实际上是 有漏电的，但不是MOS导通漏电
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始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
7楼2012-01-15 12:55:01
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