应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » trench NMOS 衬地浮空问题【已搜索无重复】
71/1返回列表
查看: 674  |  回复: 6
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

[求助] trench NMOS 衬地浮空问题【已搜索无重复】

测试条件：FIG1所示，当g=-7v,S=0v,D=-7v，这个NMOS的衬地是浮空的；
疑问：
1），这个NMOS是否会有漏电？
2），相应的机理（漏电/不漏电）是什么？

测试条件：当g=0v,S=0，D=12V，这个NMOS的衬地是浮空的；
3），这个NMOS是否会有漏电？
4），相应的机理（漏电/不漏电）是什么？

fig2 测试电路



fig1 测试电路



[ 来自科研家族 ESD家族 ]

[ Last edited by 小强还活着 on 2011-12-3 at 10:59 ]
回复此楼

» 猜你喜欢
始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
1楼 2011-12-03 10:55:03
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

sunyuanxin

禁虫 (著名写手)
感谢参与，应助指数 +1
本帖内容被屏蔽
2楼2011-12-25 17:50:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

引用回帖:
2楼: Originally posted by sunyuanxin at 2011-12-25 17:50:27:
漏电是指的有drain current还是s和b之间有电流？

Drain to source
或者drain to body，只要存在大的漏流(mA级别，正常情况下为nA级)即可
赞一下 回复此楼
始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
3楼2011-12-26 19:44:50
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

sunyuanxin

禁虫 (著名写手)
小强还活着(金币+1): 2012-01-08 10:07:39
本帖内容被屏蔽
4楼2011-12-27 22:53:38
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

引用回帖:
楼: Originally posted by sunyuanxin at 2011-12-27 22:53:38:
drain to source肯定是有的。按照MOSFET level1模型的I/V特性，VGS只要大于threshold voltage就会有drain to source的电流。

1),G=0V,S=0,D=12V,VGS 2),G=-7V,S=0,D=-7V,考虑到源漏可以互换,实际上VGS=0
赞一下 回复此楼
始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
5楼2011-12-28 17:39:58
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

sunyuanxin

禁虫 (著名写手)
本帖内容被屏蔽
6楼2012-01-11 15:58:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

小强还活着

金虫 (正式写手)

Professional IC Anolog Guru

实际上是 有漏电的，但不是MOS导通漏电
赞一下 回复此楼
始终代表中国帅哥的发展方向;始终代表中国男生才智和气质的前进方向
7楼2012-01-15 12:55:01
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 小强还活着 的主题更新
71/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭