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sucongxue

至尊木虫 (正式写手)

[求助] 关于直接跃迁,间接跃迁的种类问题。

看文献看到一段话,详见截图。
小弟做紫外可见,不知道怎么判断材料是属于直接容许跃迁还是直接禁戒跃迁或者说是间接容许跃迁?还是间接禁戒跃迁?不知道翻译正确否,请大家帮帮忙。不知道材料属于哪种就不知道截图里面n的取值啊...
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vividzai

铁杆木虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by bill_shark at 2011-11-24 18:51:51
你的这个是图Tauc图里面的吧?
对于半导体,其光学带隙在吸收边和吸收系数α之间的关系为:
αE=A(E-Eg)^n
其中A是个常数,E是入射光子能量,Eg是半导体光学带隙。
两边取对数:
ln(αE)=lnA+n*ln(E-Eg)
做ln ...

您好,为什么我测出来的Si,来计算bandgap的时候,用的是 (αhν)2和上图里面的Si一致,而1/2的时候就切不到1.1附近呢?
get the knowledge
5楼2020-08-05 20:56:28
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sucongxue

至尊木虫 (正式写手)

再补充一下,不是专门做紫外可见分析,只是最近的工作涉及到,求大家帮助...
2楼2011-11-24 17:12:15
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bill_shark

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

sucongxue(金币+2): 比较详细,多谢朋友啊!材料手册我还得找找,我算得的hw是3.2eV多 2011-11-24 19:14:13
你的这个是图Tauc图里面的吧?
对于半导体,其光学带隙在吸收边和吸收系数α之间的关系为:
αE=A(E-Eg)^n
其中A是个常数,E是入射光子能量,Eg是半导体光学带隙。
两边取对数:
ln(αE)=lnA+n*ln(E-Eg)
做ln(αE)∝ln(E-Eg)关系曲线可得n的值。
1.当n=1/2,对应于直接带隙半导体允许的跃迁。
2.当n=3/2,对应于直接带隙半导体禁戒的跃迁。
3.当n=2,对应于间接带隙半导体允许的跃迁。
4.当n=3,对应于间接带隙半导禁戒的跃迁。

你要想知道什么材料是直接带隙的还是间接带隙,可以查材料手册。

一般做Tauc图是用来测材料带隙的,比如说你有了某个材料的透过谱,吸收系数α=-ln(T)/d,式中T为透过率,d为薄膜厚度。作(αE)^(1/m)~hω图,如下
hω就是光子能量E
延长曲线交与hω轴点就是带隙了。
3楼2011-11-24 18:51:51
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jipong1987

新虫 (初入文坛)

跃迁光电-中国专业高压电源服务商。
4楼2018-09-30 09:59:11
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