【答案】应助回帖

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附件 1 : Kramers-Kronig analysis of electro-optical switching in silicon.pdf

2011-11-28 21:46:09, 419.08 K

8楼2011-11-28 21:46:21

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bill_shark

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【答案】应助回帖

空畅(金币+20): 2011-11-24 16:53:21

通过掺杂或外加电场可改变半导体中的自由载流子浓度。根据经典色散理论，这一改变将引起材料复折射率的变化
Δn = Δn + iΔk
其中Δ n 为实折射率的变化，Δ k 为虚折射率的变化，它与光吸收系数Δα有关
Δα = 4πΔk /λ
这种通过自由载流子(free carrier)等离子体影响材料光学参数的效应称为等离子色散效应(plasma dispersion effect)。

2楼2011-11-24 12:15:57

空畅

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2楼: Originally posted by bill_shark at 2011-11-24 12:15:57:
通过掺杂或外加电场可改变半导体中的自由载流子浓度。根据经典色散理论，这一改变将引起材料复折射率的变化
Δn = Δn + iΔk
其中Δ n 为实折射率的变化，Δ k 为虚折射率的变化，它与光吸收系数Δα有关
Δα ...

那这种效应可以改变实折射率嘛？

3楼2011-11-24 16:56:06

bill_shark

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3楼: Originally posted by 空畅 at 2011-11-24 16:56:06:
那这种效应可以改变实折射率嘛？

可以的。
从KK关系可以得到我上传的图片中的表达式。

式中n 为硅锗的初始折射率，λ为光波长，q 为电子电量，ε 0 为真空介电常数，Δ N e 和Δ N h，分别为电子和空穴浓度的变化量，μe和μh为电子和空穴的迁移率， me*
和 mh* 为电子和空穴的有效质量。

4楼2011-11-24 18:10:46