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1970-01-01 08:00:00
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智能机器人

Robot (super robot)

我们都爱小木虫

空畅

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by bill_shark at 2011-11-28 17:46:56:
一般的书上都有吧。。。
Silicon Photonics An Introduction(G. Reed)
http://depositfiles.com/en/files/4604178
101页

Soref, R. A. & Bennett, B. R.“ Kramers-Kronig analysis of electro-optical switching in silicon”. Proc. SPIE704, 32–37 (1986).不知道你能不能下到这篇文献,好多涉及这个效应的文章都有引用这篇文献,但是我没找到
7楼2011-11-28 20:46:28
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bill_shark

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

空畅(金币+20): 2011-11-24 16:53:21
通过掺杂或外加电场可改变半导体中的自由载流子浓度。根据经典色散理论,这一改变将引起材料复折射率的变化
Δn = Δn + iΔk
其中Δ n 为实折射率的变化,Δ k 为虚折射率的变化,它与光吸收系数Δα有关
Δα = 4πΔk /λ
这种通过自由载流子(free carrier)等离子体影响材料光学参数的效应称为等离子色散效应(plasma dispersion effect)。
2楼2011-11-24 12:15:57
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空畅

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by bill_shark at 2011-11-24 12:15:57:
通过掺杂或外加电场可改变半导体中的自由载流子浓度。根据经典色散理论,这一改变将引起材料复折射率的变化
Δn = Δn + iΔk
其中Δ n 为实折射率的变化,Δ k 为虚折射率的变化,它与光吸收系数Δα有关
Δα ...

那这种效应可以改变实折射率嘛?
3楼2011-11-24 16:56:06
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bill_shark

银虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 空畅 at 2011-11-24 16:56:06:
那这种效应可以改变实折射率嘛?

可以的。
从KK关系可以得到我上传的图片中的表达式。
 
式中n 为硅锗的初始折射率,λ为光波长,q 为电子电量,ε 0 为真空介电常数,Δ N e 和Δ N h,分别为电子和空穴浓度的变化量,μe和μh为电子和空穴的迁移率, me*
和 mh* 为电子和空穴的有效质量。
4楼2011-11-24 18:10:46
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