应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » CVD法制备Graphene中，有关淀积催化金属Cu 的疑问
51/1返回列表
查看: 1967  |  回复: 10
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)

[求助] CVD法制备Graphene中，有关淀积催化金属Cu 的疑问

想问问，在CVD制备Graphene之前，要在SiO2/Si上淀积一层Cu，我想用电子束蒸镀的方法淀积一层铜，就是不太清楚淀积Cu的具体工艺，比如真空度、温度等等……希望做相关实验的虫友能够解答一下
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

优秀资源 石墨烯及电化学

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
天道酬勤
1楼 2011-11-14 15:00:06
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
6楼: Originally posted by wangganglzu at 2011-11-14 21:11:42:
确实直接用铜箔比较方便，但是有些原因，要选择这种传统的淀积铜的方法制备graphene   -----上面的回复是我师兄的小木虫号，刚才一台电脑登两个号，给弄混了！

请问有消息了吗？
赞一下 回复此楼
天道酬勤
9楼2011-11-16 15:49:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 11 个回答

dnshanzhi

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
wangganglzu(金币+2): 2011-11-14 17:52:59
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-11-14 20:37:08
真空度10-3Pa应该就可以了，当然真空度越高越好！ 基片保持室温就好吧！
赞一下(1人) 回复此楼
2楼2011-11-14 16:57:24
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
2楼: Originally posted by dnshanzhi at 2011-11-14 16:57:24:
真空度10-3Pa应该就可以了，当然真空度越高越好！ 基片保持室温就好吧！

那真空室里的温度是多高呢？才能让铜重结晶？
赞一下 回复此楼
天道酬勤
3楼2011-11-14 17:52:46
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

lchpy

木虫 (职业作家)

优秀版主
引用回帖:
3楼: Originally posted by wangganglzu at 2011-11-14 18:52:46:
那真空室里的温度是多高呢？才能让铜重结晶？

直接用铜箔不行么?
赞一下 回复此楼
4楼2011-11-14 20:37:23
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 11 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭