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汕头大学海洋科学接受调剂
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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)

[求助] CVD法制备Graphene中,有关淀积催化金属Cu 的疑问

想问问,在CVD制备Graphene之前,要在SiO2/Si上淀积一层Cu,我想用电子束蒸镀的方法淀积一层铜,就是不太清楚淀积Cu的具体工艺,比如真空度、温度等等……希望做相关实验的虫友能够解答一下
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天道酬勤
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lchpy

木虫 (职业作家)

优秀版主

引用回帖:
3楼: Originally posted by wangganglzu at 2011-11-14 18:52:46:
那真空室里的温度是多高呢?才能让铜重结晶?

直接用铜箔不行么?
4楼2011-11-14 20:37:23
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dnshanzhi

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖


wangganglzu(金币+2): 2011-11-14 17:52:59
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-11-14 20:37:08
真空度10-3Pa应该就可以了,当然真空度越高越好! 基片保持室温就好吧!
2楼2011-11-14 16:57:24
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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by dnshanzhi at 2011-11-14 16:57:24:
真空度10-3Pa应该就可以了,当然真空度越高越好! 基片保持室温就好吧!

那真空室里的温度是多高呢?才能让铜重结晶?
天道酬勤
3楼2011-11-14 17:52:46
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qsj8362234

金虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by lchpy at 2011-11-14 20:37:23:
直接用铜箔不行么?

确实直接用铜箔比较方便,但是有些原因,要选择这种传统的淀积铜的方法制备graphene
5楼2011-11-14 21:08:50
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