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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » CVD法制备Graphene中，有关淀积催化金属Cu 的疑问
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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)

[求助] CVD法制备Graphene中，有关淀积催化金属Cu 的疑问

想问问，在CVD制备Graphene之前，要在SiO2/Si上淀积一层Cu，我想用电子束蒸镀的方法淀积一层铜，就是不太清楚淀积Cu的具体工艺，比如真空度、温度等等……希望做相关实验的虫友能够解答一下
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天道酬勤
1楼 2011-11-14 15:00:06
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lchpy

木虫 (职业作家)

优秀版主
引用回帖:
3楼: Originally posted by wangganglzu at 2011-11-14 18:52:46:
那真空室里的温度是多高呢？才能让铜重结晶？

直接用铜箔不行么?
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4楼2011-11-14 20:37:23
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dnshanzhi

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★
wangganglzu(金币+2): 2011-11-14 17:52:59
lchpy(金币+1): thanks for your information 2011-11-14 20:37:08
真空度10-3Pa应该就可以了，当然真空度越高越好！ 基片保持室温就好吧！
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2楼2011-11-14 16:57:24
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wangganglzu

至尊木虫 (职业作家)
引用回帖:
2楼: Originally posted by dnshanzhi at 2011-11-14 16:57:24:
真空度10-3Pa应该就可以了，当然真空度越高越好！ 基片保持室温就好吧！

那真空室里的温度是多高呢？才能让铜重结晶？
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天道酬勤
3楼2011-11-14 17:52:46
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qsj8362234

金虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by lchpy at 2011-11-14 20:37:23:
直接用铜箔不行么?

确实直接用铜箔比较方便，但是有些原因，要选择这种传统的淀积铜的方法制备graphene
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5楼2011-11-14 21:08:50
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