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[资源] vasp5.2计算半导体Si光学性质的总结

前一段时间计算了Si的光学性质,现在整理下帖出来,希望对光学方面的虫友有帮助,当然有不当的地方请大家指教。由于DFT方法计算出的半导体带隙不太准确,所以这里在用HSE杂化计算能带后直接计算光学性质
就顺水提出的问题,做下面说明,标志红色
1.建模结构优化这里就不说了
2..优化后DFT计算(HSE杂化需要DFT的支持)这里需要说明的是后面计算要用到这步的波函数
INCAR:
System = diamond Si
ENCUT = 400
ISTART = 0
ICHARG = 2
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
PREC = Accurate
EDIFF = 1.0E-05
EDIFFG = -0.001
NSW = 0
IBRION = -1
ISIF = 2
GGA = PS(此处如果用GGA = PS请在POTCAR中修改LEXCH  = PS)
KPOINTS:
Automatic mesh
0
M
7   7   7
0   0   0

POSCAR:
Si-Diamond:                             
   5.43800000000000     
     0.0000000000000000    0.5000000000000000    0.5000000000000000
     0.5000000000000000    0.0000000000000000    0.5000000000000000
     0.5000000000000000    0.5000000000000000    0.0000000000000000
   Si
   2
Selective dynamics
Direct
  0.0000000000000000  0.0000000000000000  0.0000000000000000   T   T   T
  0.2500000000000000  0.2500000000000000  0.2500000000000000   T   T   T

  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
  0.00000000E+00  0.00000000E+00  0.00000000E+00
运行vasp
3.HSE06计算(此步在DFT基础上)这步用到上步的波函数

INCAR:
SYSTEM = Si-Diamond
ISTART = 1
ICHARG = 2
EDIFF = 0.00001
EDIFFG = -0.001
GGA = PS
ISMEAR = 0
SIGMA = 0.1
ENCUT = 400
ENAUG = 800
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .TRUE.
LCHARG = .TRUE.
NELM = 200
NSW = 0
IBRION = -1
LMAXMIX = 4
NSIM = 4
ISYM = 0
LHFCALC = .TRUE.
HFSCREEN = 0.2
ALGO = Damped
TIME = 0.4
ENCUTFOCK = 0
AEXX = 0.25
NBANDS = 24(此处为DFT计算是的2—3倍)根据说明要有足够的空带
其他文件从DFT文件夹拷贝过来,运行vasp计算

4.optic计算(这步用到上面的波函数)
INCAR:
SYSTEM = Si-Diamond
ISTART = 1
ICHARG = 2
EDIFF = 0.00001
EDIFFG = -0.01
GGA = PS
ENCUT = 400
ENAUG = 800
NELM = 200
NSW = 0
IBRION = 1
LMAXMIX = 4
ISMEAR = -5
NSIM = 4
ISYM = 0
LHFCALC = .TRUE.
HFSCREEN = 0.2
ALGO = N
TIME = 0.4
ENCUTFOCK = 0
AEXX = 0.25
NELMIN = 5
LOPTICS = TRUE
CSHIFT = 0.1
NBANDS = 24
NPAR = 1
NEDOS = 2000
LRPA = .FALSE.              
LREAL = .FALSE.
LWAVE = .FALSE.   
LCHARG = .FALSE.

KPOINTS:(此处为HSE计算时的2-3倍,关于这一点加密K点是为保证介电谱收敛)
Automatic mesh
0
M
9   9   9
0   0   0

其他全部文件从HSE06计算文件夹中拷贝
主要此处NPAR = 1,vasp运行时不可并行运行这里要说的是NPAR = 1按能带依次处理。如果此处还用并行那么vasp会要求你设置NPAR = number ,与NPAR = 1不合
运行vasp

5.结果(与实验值做比较)
介电函数实部:

介电函数虚部:

介电函数:

折射率:

还有差别,欢迎大家指正
这里感谢顺水提出的问题,如大家还有问题,请指出并指出问题的关键及解决方法,不要让大家都感到很迷惑谢谢

[ Last edited by liliangfang on 2012-4-23 at 11:25 ]
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小豆sumy

金虫 (小有名气)


引用回帖:
43楼: Originally posted by liliangfang at 2011-11-23 18:54:13:
有公式不就行了吗 ,公式有介电函数与N,K的关系,推导呗,还多文献李都有啊

嗯,我知道每一个值都可以对应公式算出来。但是因为换算不简单,还有平方和二元一次方程,所以直接转化成光吸收系数图像的话,在excel中对数据处理不方便。所以问问有没有简单的办法。

另外还想问的是,文献的图中最强的介电峰对应横轴为4.5eV,而我画的对应到了6eV左右,这是参数哪没设好吗?? thanks~
44楼2011-11-23 23:41:08
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查看全部 107 个回答

顺水

金虫 (小有名气)


★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-10-30 10:18:52
你这有很多是错的。
建议要重新核实一下下。
看看vasp的说明书。
5.2就是5.2不是4.6。
3楼2011-10-28 20:42:33
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顺水

金虫 (小有名气)


★ ★
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-10-30 10:18:58
不该加的K点不能加啊!
不然会万劫不复,特别是你的计算机计算能力弱的时候!
5楼2011-10-28 20:46:04
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-10-30 10:22:17
引用回帖:
5楼: Originally posted by 顺水 at 2011-10-28 20:46:04:
不该加的K点不能加啊!
不然会万劫不复,特别是你的计算机计算能力弱的时候!

首先感谢指出错误,我是使用5.2的说明书的,我们的计算机一共是128个核的。还有啊请指出错误的地方,谢谢
6楼2011-10-28 21:57:39
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