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vasp5.2计算半导体Si光学性质的总结
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前一段时间计算了Si的光学性质，现在整理下帖出来，希望对光学方面的虫友有帮助，当然有不当的地方请大家指教。由于DFT方法计算出的半导体带隙不太准确，所以这里在用HSE杂化计算能带后直接计算光学性质 就顺水提出的问题，做下面说明，标志红色 1.建模结构优化这里就不说了 2..优化后DFT计算（HSE杂化需要DFT的支持）这里需要说明的是后面计算要用到这步的波函数 INCAR： System = diamond Si ENCUT = 400 ISTART = 0 ICHARG = 2 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 PREC = Accurate EDIFF = 1.0E-05 EDIFFG = -0.001 NSW = 0 IBRION = -1 ISIF = 2 GGA = PS（此处如果用GGA = PS请在POTCAR中修改LEXCH = PS） KPOINTS： Automatic mesh 0 M 7 7 7 0 0 0 POSCAR： Si-Diamond: 5.43800000000000 0.0000000000000000 0.5000000000000000 0.5000000000000000 0.5000000000000000 0.0000000000000000 0.5000000000000000 0.5000000000000000 0.5000000000000000 0.0000000000000000 Si 2 Selective dynamics Direct 0.0000000000000000 0.0000000000000000 0.0000000000000000 T T T 0.2500000000000000 0.2500000000000000 0.2500000000000000 T T T 0.00000000E+00 0.00000000E+00 0.00000000E+00 0.00000000E+00 0.00000000E+00 0.00000000E+00 运行vasp 3.HSE06计算（此步在DFT基础上）这步用到上步的波函数 INCAR： SYSTEM = Si-Diamond ISTART = 1 ICHARG = 2 EDIFF = 0.00001 EDIFFG = -0.001 GGA = PS ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 ENCUT = 400 ENAUG = 800 LREAL = .FALSE. LWAVE = .TRUE. LCHARG = .TRUE. NELM = 200 NSW = 0 IBRION = -1 LMAXMIX = 4 NSIM = 4 ISYM = 0 LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.2 ALGO = Damped TIME = 0.4 ENCUTFOCK = 0 AEXX = 0.25 NBANDS = 24（此处为DFT计算是的2—3倍）根据说明要有足够的空带 其他文件从DFT文件夹拷贝过来，运行vasp计算 4.optic计算（这步用到上面的波函数） INCAR： SYSTEM = Si-Diamond ISTART = 1 ICHARG = 2 EDIFF = 0.00001 EDIFFG = -0.01 GGA = PS ENCUT = 400 ENAUG = 800 NELM = 200 NSW = 0 IBRION = 1 LMAXMIX = 4 ISMEAR = -5 NSIM = 4 ISYM = 0 LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.2 ALGO = N TIME = 0.4 ENCUTFOCK = 0 AEXX = 0.25 NELMIN = 5 LOPTICS = TRUE CSHIFT = 0.1 NBANDS = 24 NPAR = 1 NEDOS = 2000 LRPA = .FALSE. LREAL = .FALSE. LWAVE = .FALSE. LCHARG = .FALSE. KPOINTS：（此处为HSE计算时的2-3倍，关于这一点加密K点是为保证介电谱收敛） Automatic mesh 0 M 9 9 9 0 0 0 其他全部文件从HSE06计算文件夹中拷贝 主要此处NPAR = 1，vasp运行时不可并行运行这里要说的是NPAR = 1按能带依次处理。如果此处还用并行那么vasp会要求你设置NPAR = number ，与NPAR = 1不合 运行vasp 5.结果（与实验值做比较） 介电函数实部：  介电函数虚部：  介电函数：  折射率：  还有差别，欢迎大家指正 这里感谢顺水提出的问题，如大家还有问题，请指出并指出问题的关键及解决方法，不要让大家都感到很迷惑  谢谢[ Last edited by liliangfang on 2012-4-23 at 11:25 ] |
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youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-10-30 10:22:03
youzhizhe(金币+2): 谢谢交流。 2011-10-30 10:22:03
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这个我也很怀疑，这是一个印度人告诉我的，不置可否 running on 1 nodes distr: one band on 1 nodes, 1 groups vasp.5.2.2 15Apr09 complex POSCAR found type information on POSCAR Si POSCAR found : 1 types and 2 ions LDA part: xc-table for Pade appr. of Perdew found WAVECAR, reading the header number of k-points has changed, file: 36 present: 112 trying to continue reading WAVECAR, but it might fail WARNING: stress and forces are not correct POSCAR, INCAR and KPOINTS ok, starting setup WARNING: small aliasing (wrap around) errors must be expected FFT: planning ...( 1 ) reading WAVECAR the WAVECAR file was read sucessfully charge-density read from file: Si-Diamond entering main loop N E dE d eps ncg rms ort 现在强烈要求贴出你的方法，谢谢 |
19楼2011-10-28 23:23:09
3楼2011-10-28 20:42:33
5楼2011-10-28 20:46:04
6楼2011-10-28 21:57:39
