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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » QE(Pwscf) » 例子中的example05中计算出的硅的带隙为什么只有大约0.5eV
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henrydjw

禁虫 (初入文坛)
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1楼 2011-10-13 11:40:16
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hanyanli0475

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
henrydjw(金币+1): 2011-10-13 16:52:04
youzhizhe(金币+1): 谢谢交流。 2011-10-13 19:21:32
引用回帖:
1楼: Originally posted by henrydjw at 2011-10-13 11:40:16:
实际的Si的带隙应该有1.12eV左右，那为什么example05中计算出来的带隙小那么多啊？

DFT计算的能带，一般都比实验值是小的，这是由于4d电子的局域性造成的。
赞一下(1人) 回复此楼
什么时候能算完！！！！
2楼2011-10-13 12:33:39
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gavinliu7390

木虫 (著名写手)

叶落鹰飞
★
uuv2010(金币+1): 多谢提示 2011-10-14 08:56:39
交换关联低估带隙。
赞一下(1人) 回复此楼
真理是一点点接近的！
3楼2011-10-13 22:55:15
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