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【求助成功】请教GW方法计算能带结构的几个问题?
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[
求助
]
【求助成功】请教GW方法计算能带结构的几个问题?
小弟刚接触vasp GW计算,想要在宽带隙半导体中获得一个比较合理的带隙。
这里有几个问题想确认一下,
1,在vasp中使用GW方法计算得到的文件,到底能不能画出能带结构图来?
2,对于带隙大小的获得,能不能计算出间接带隙的大小?
有老各位前辈了,小弟在此谢过了!!!
[
Last edited by liliangfang on 2012-1-1 at 18:00
]
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1楼
2011-10-11 16:05:26
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6楼
:
Originally posted by
liliangfang
at 2011-10-30 09:17:59:
Si的带隙修正到1.25ev,希望对你有帮助
能给个链接吗?对于你计算的那个帖子
谢谢了!
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7楼
2011-11-07 22:02:40
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★ ★
贺仪(金币+2): 多谢指教! 2011-10-12 08:27:54
liddrr(金币+2): 2011-10-30 01:57:06
1.可以得到能带图
2.通过能带图看间接带隙
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2楼
2011-10-11 23:15:55
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1楼
:
Originally posted by
liddrr
at 2011-10-11 16:05:26:
小弟刚接触vasp GW计算,想要在宽带隙半导体中获得一个比较合理的带隙。
这里有几个问题想确认一下,
1,在vasp中使用GW方法计算得到的文件,到底能不能画出能带结构图来?
2,对于带隙大小的获得,能不能计算 ...
请问,您有计算成功过的例子吗?不是网上找的那种,您自己算过的那种?谢谢啦!
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3楼
2011-10-30 01:55:19
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2楼
:
Originally posted by
uuv2010
at 2011-10-11 23:15:55:
1.可以得到能带图
2.通过能带图看间接带隙
请问,您有计算成功过的例子吗?不是网上找的那种,您自己算过的那种?谢谢啦!
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4楼
2011-10-30 01:56:28
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