6楼: Originally posted by liliangfang at 2011-10-30 09:17:59:
Si的带隙修正到1.25ev，希望对你有帮助

1楼: Originally posted by liddrr at 2011-10-11 16:05:26:
小弟刚接触vasp GW计算，想要在宽带隙半导体中获得一个比较合理的带隙。
这里有几个问题想确认一下，
1，在vasp中使用GW方法计算得到的文件，到底能不能画出能带结构图来？
2，对于带隙大小的获得，能不能计算 ...

2楼: Originally posted by uuv2010 at 2011-10-11 23:15:55:
1.可以得到能带图
2.通过能带图看间接带隙

4楼: Originally posted by liddrr at 2011-10-30 01:56:28:
请问，您有计算成功过的例子吗？不是网上找的那种，您自己算过的那种？谢谢啦！

1楼: Originally posted by liddrr at 2011-10-11 16:05:26:
小弟刚接触vasp GW计算，想要在宽带隙半导体中获得一个比较合理的带隙。
这里有几个问题想确认一下，
1，在vasp中使用GW方法计算得到的文件，到底能不能画出能带结构图来？
2，对于带隙大小的获得，能不能计算 ...

7楼: Originally posted by liddrr at 2011-11-07 22:02:40:
能给个链接吗？对于你计算的那个帖子
谢谢了！

8楼: Originally posted by liliangfang at 2011-11-08 08:08:14:
http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=3613684

9楼: Originally posted by liddrr at 2011-11-08 22:36:00:
谢谢大哥！
你那个帖子是关于HSE06的计算，不是GW的计算。