| 查看: 888 | 回复: 4 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
[交流]
纳米半导体异质结复合中能带问题
|
|||
|
最近看到一些文献，关于纳米半导体的复合体中能带结构及位置的变化电子空穴的转移问题。 我们拿pn结异质结为例，复合时由于二半导体费米能级的不同会导致电子的转移以及能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化。 那么在纳米半导体复合中复合前后半导体能带导带、价带电位相对于单体是否有随能带上下移动呢？可是我发现很多文献对复合前后能带电位问题没有什么讨论，貌似电位没有什么变化，还是我的理解有误呢？请高人指点迷津，多谢！！ |
回复此楼» 猜你喜欢
金属材料论文润色/翻译怎么收费?
已经有220人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
半导体与半导体形成的异质结叫什么
已经有11人回复- 金属-半导体接触属于异质结吗
已经有5人回复
- 求助 在做光阳极的时候怎样证明p型半导体薄膜与n型半导体薄膜之间形成了p-n异质结
已经有17人回复
- 半导体薄膜异质结制备要求
已经有8人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
哈工深国家级青年人才王龙龙教授团队—诚招新能源电池方向博士和硕士研究生
+1/183
-
上市公司招聘电解液添加剂研发人员
+1/84
-
转录组数据求助
+1/83
-
【坐标深圳｜94年男生｜想认真找个伴】
+1/83
-
中国地质大学（武汉）—国家级青年人才杨明教授组-招收博士-新能源材料化学及催化材料
+1/74
-
2026年博士招生--北京理工大学交叉学科（航空，力学，能动，计算机等方向）
+1/29
-
南京大学自旋全国重团队陆显扬课题组招聘博士后
+2/28
-
北京科技大学鲁启鹏招收2026年博士生1名
+1/26
-
智慧能源中心招聘启事|博士后 科研助理
+1/24
-
长春理工大学和西安工业大学主动光电探测成像技术重点实验室招收博士生
+1/12
-
同济大学段宁院士徐夫元教授团队：招聘博士后+欢迎依托申报海优
+1/12
-
博士/硕士招生
+1/9
-
北京理工大学（珠海）医疗机器人实验室现招收2026年博士研究生
+1/7
-
哈尔滨工业大学（深圳）赵怡潞课题组诚招博士后
+1/6
-
东江实验室招聘~本科及以上可报~急聘！
+1/5
-
招收26年秋季入学博士生（北科大高精尖学院 力学超材料/机器学习/增材制造相关方向）
+1/4
-
北理工柔性电子国家杰青团队招【博士后】【科研助理（读博意向）】
+1/2
-
上海大学长江学者钟云波教授团队招收外场冶金或材料加工方向2026年博士研究生
+1/1
-
东北师范大学国家杰青汤庆鑫教授团队招收博士研究生
+1/1
-
华中农业大学生命科学技术学院 “酶智能设计与农药生物合成”课题组招聘启事
+1/1
3楼2017-01-22 11:19:36
2楼2017-01-22 10:54:21
4楼2017-01-22 11:22:31
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fbqrdzs: 金币+5, 应助指数+1, well done 2017-01-26 11:33:43
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fbqrdzs: 金币+5, 应助指数+1, well done 2017-01-26 11:33:43
|
个人觉得楼主问题应该一分为二，对pn异质结来说，由于多子（包括n结里的电子和p结内的空穴）的扩散，会在pn结界面处形成内建电场，在光照下，一般来说，由于内建电场的驱使，p-type CB上的光生电子会朝n-type上的CB上迁移，而n-type上的光生空穴会朝p-type上的VB迁移【Wang xc*, Semiconductor heterojunction photocatalysts:design, construction, and photocatalytic performances，Chem. Soc. Rev, 2014】。但也见过反常的例子，pn异质结形成后会如楼主所说，二半导体费米能级的不同会导致能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化，从而达到一个平衡态的费米能级，结果就是一半导体CB中的电子与另一半导体中VB里留下的空穴复合，最终形成所谓的Z-scheme异质结【Dong Fan*, Three dimensional Z-scheme (BiO)2CO3/MoS2with enhanced visiblelight photocatalytic NO removal.Applied Catalysis B: Environmental 199 (2016) 87–95】。比较少见，就目前我也只见过这一篇文献。 当然还有一类是非pn异质结，复合后自身能带结构不发生改变（可能是没有多子扩散的影响了吧？），构成错位的能带结构，由于电位差形成的内建电场（有别于p-n结的多子扩散形成的内建电场）的作用，电子从高CB往低CB流，空穴从低VB往高VB流。 以上供参考，欢迎继续讨论。 |
5楼2017-01-23 17:45:16