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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 纳米半导体异质结复合中能带问题
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junhuisun

铜虫 (正式写手)

[交流] 纳米半导体异质结复合中能带问题

最近看到一些文献，关于纳米半导体的复合体中能带结构及位置的变化电子空穴的转移问题。
我们拿pn结异质结为例，复合时由于二半导体费米能级的不同会导致电子的转移以及能带导带、价带的上下相对移动使其相对电位的变化。
那么在纳米半导体复合中复合前后半导体能带导带、价带电位相对于单体是否有随能带上下移动呢？可是我发现很多文献对复合前后能带电位问题没有什么讨论，貌似电位没有什么变化，还是我的理解有误呢？请高人指点迷津，多谢！！
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1楼2011-10-07 20:35:32
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liuguohua888

铁虫 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fbqrdzs: 金币+1, 应助指数+1 2017-01-26 11:33:21
纳米半导体异质结复合中能带可能就是个理想的模型
现实的实验中可能哪种都不是
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3楼2017-01-22 11:19:36
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liuguohua888

铁虫 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
fbqrdzs: 金币+1, 应助指数+1 2017-01-26 11:33:30
界面电子输运的模型描述，可参考下
Charge Transport in Two-Photon Semiconducting Structures for Solar Fuels
理论上的公式可能还是以半导体物理为基础
很多物理背景和化学背景的学者好像理解层面并不一致
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4楼2017-01-22 11:22:31
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